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!!# 器件与技术
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用升华法释放表面硅工艺中的悬浮结构
郝一龙，武国英，吴 琳，徐嘉佳
（北京大学微电子所，北京 $%%’$）
摘要：介绍了在谐振器结构释放后的干燥过程中，采用的一种有效的、防粘附的方法———升华
法。在升华法的基础上，开发了充分置换升华法，对若干种释放方法进行实验、比较，确定了
充分置换法的更优性；并找出了影响分离长度的因素，为提高结构释放产品率奠定了基础。
关键词：表面工艺；升华法；粘附
中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）
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! 引 言 # 升华法的原理及设备示意图
表面工艺是硅微加工的主要工艺之一。在此 在冷冻烘干的过程中，当温度降至熔点以下时
工艺中，表面淀积的机械结构层与衬底的间隙很 清洗液凝固，之后，降低压力使固体升华。图 示
!
小，在结构释放之后的干燥过程中，由于液体的 出了冷冻升华法和超临界法的过程。
流动会对悬浮的结构产生下拉的表面张力，易导 快速冷冻升华技术不需要真空设备，可以在大
致悬浮结构粘附在衬底上。目前，国际上已提出 气压下操作。环己烷的熔点是$% ’ ，是较好的最
了若干种防粘附的方法，一类方法是直接减小粘 后清洗液。凝固和随后升华工艺是：把硅片放在一
附力；而另一类方法是在干燥过程中，避免液气 个受控的冷阱内，冷阱的温度比最
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