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第 卷第 期 年 月
37 2 红外与激光工程 2008 4
Vol.37No.2 InfraredandLaserEngineering Apr.2008
国内大功率半导体激光器研究及应用现状
马骁宇,王 俊,刘素平
(中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程中心,北京 100083)
摘 要:近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半
导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电
特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主要研究内容和关键技术进行了总结,在外
延片结构中广泛采用应变量子阱结构、无铝有源区宽波导大光腔结构及非对称波导结构来提高端面
光学灾变损伤光功率密度,还从腔面光学膜、器件封装、器件可靠性、光束整形与耦合以及器件应用等
几个方面给予介绍。
关键词:大功率半导体激光器; 外延片结构; 光学膜; 封装; 光束整形与耦合
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TN24 A 1007-2276200802-0189-06
Presentsituationofinvestigationsandapplications
inhighpowersemiconductorlasers
,
!
MAXiaoyu,WANGJunLIUSuping
!
(NationalEngineeringResearchCenterforOptoelectronicsDevices,InstituteofSemiconductors,
ChineseAcademyofSciences,Beijing100083,China)
!
Abstract:Thehighpowersemiconductorlasersisthecorepartofopticelectricpracticaldevices
nowadays.Inrecentyears,considerableprogresshasbeenmadeinthehighpowersemiconductorlasersin
Chinaandabroad.Moreover,theinvestigationsandapplicationsofthehighpowersemiconductorlaser
!electricperformances,suchas
arraybecomethemostattractivehighlightinthefield,andthemainoptic
! !
superhigh electroopti
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