新结构的制备及其性能的研究.pdfVIP

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2017-09-12 发布于重庆
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新结构的制备及其性能的研究.pdf

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第卷第期年月物理学报 #! % !1 % ，，， V86 ,#! ?8 , % W9;D !1 （） %:1!-!1-#! % -!0:$ RO2R HMU(+OR (+?+OR !1 OS)9 , HSD5 , (87 , !#$ 新结构的制备及其性能的研究! 谢欣云林青门传玲刘卫丽徐安怀林成鲁（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海 !# ）（年月日收到；年月日收到修改稿） !! $ % !! ’ ! 制备在以为绝缘埋层的材料上的电子器件存在着自加热问题为减少自加热效应和满足一些特殊器 ()* (*+ , ! 件电路的要求，利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的新结构高分辨率透射 - (*+ , 电镜和扩展电阻测试结果表明得到的(*+. 新结构具有很好的结构和电学性能，退火后的氮化硅埋层为非晶结构, 关键词：氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜，新结构，多孔硅外延转移 (*+. ：， %’’ ’/## 01$2 %4 引言 ! 4 实验为使器件之间具有很好的电绝缘隔离性能和有本实验采用型（）、电阻率为 — J 1K % 41 ! 效的降低寄生电容，氧化物埋层已被广泛的应用在 · 的重掺杂硅片其中一片用低压化学气 40! 7A , （）技术中然而，由于导热相沉积法在条件下生长一层薄膜，薄膜 (*+ 5)6)789:89:)95;6=8 , ()* / L () ? ! 1 $ 性能差，在很大程度上限制了材料在高温与大厚度为另一片利用阳级氧化的方法在其表面 (*+