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维普资讯
第24卷 第 5期 真 空 科 学 与 技 术 学 报
2OO4年9、10月 VACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY(CHINA) 397
石英和BK7玻璃的离子束刻蚀特性研究
王旭迪 · 刘 徐向东 洪义麟 付绍军
(1.中国科学技术大学 国家同步辐射实验室 23(~26;2.合肥工业大学 机械与汽车工程学院 合肥 230009)
IonBeamEtchingofQuartzandBK7Glass
WangXudi一,LiuYing,XuXiangdong,HongYilinandFuShaojun
(1.NationalSy?ld~otronRadiationlab,USTC,Hefei,23(X)26,China;
2.FocultyofMechan~dandAutomobileEngineering,HFUT,Hefei,23OOO9,Ch/na)
A Argonionbeam achingofquartzandBK7gIassandthemaskmaterial,AZ1350,wasstudiedtoevaluateinfluenceofvarious
factors,includingionenergy,ionbeamdemityandionincidentangle,ontheetchingratenadetchingselectivity.IIIlagesoftheatomicforcemi—
croscopy(AFM)showthathteimprovedionetching resultsinneglisiblesurfacedamages.Sincehtefidelityofpattemt/li~erdeg~eswihtthe
increasingofhteetcheddepth,etching selectiviytofphoto—resistremaim tobeimproved.
Keywords Quartz,BK7glass,Ionbeametching,Etchrate,Selectivity,Patterntrans~r
摘要 石英和BK7玻璃是常用的光学材料和微系统材料。用 作为工作气体对石英和BK7玻璃及其掩模材料AZ1350
的离子束刻蚀特性进行了研究,分析了离子能量、离子束流密度和离子束人射角等几种因素对刻蚀速率和选择比的影响,结
合相关理论得到了相应的刻蚀速率拟合方程。AFM测量结果表明刻蚀工艺对材料的低损伤。由于与光刻胶的刻蚀选择比较
低,随着石英和BK7玻璃刻蚀深度的增加,图形转移精度下降。因此提高刻蚀选择比是获得高分辨率图形的前提。
关键词 石英 BK7玻璃 离子束刻蚀 刻蚀速率 选择性 图形转移
中图分类号:TN3 文献标识码:A 文章编号:1672—7126(2004)05.o39r7一o4
石英和BK7玻璃是常用的光学和微系统材料。 离子束刻蚀是通过离子束对材料的物理溅射达
石英的主要成分是 si02;BK7即l9的成分有 sio2 到刻蚀的目的,可以获得较好的表面质量。离子束
68%,BO15%,BaO6%,K2O5%,Na206%。随着微 刻蚀具有 良好的各向异性,对器件低损伤和可控性
系统技术的迅速发展,由于具有较低廉的价格、良好 好等特点,使之成为制作微纳米器件的理想手段。
的微加工性能,在石英和 BK7玻璃上制作微米、纳 用 作为工作气体对石英和 BK7玻璃的离子束刻
米尺度的微结构和微器件的技术,已应用于光电子、 蚀特性进行了研究,分析了几种因素对刻蚀速率以
微波技术、传感器、微分析系统(1ab-on—achip)、电泳 及刻蚀工艺对槽形和表面粗糙度的影响。
芯片、衍射光学元件-lj等众多领域。
由于湿法刻蚀产生的底切现象(undercutting)限 1 实验
制了图形转移的精度,目前国外对石英和BK7等玻
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