MgO掺杂对BaSrTiO3介质陶瓷性能的影响.pdfVIP

第36卷 增刊l 稀有金属材丰斗与工程 Ⅷ．36，supPl．1 2007年 8月 RAREMFIALM^TERLALSANDENGn呃ERⅡ町G Aq唧2007 曲远方，张连松，李远亮 (天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室．天津300072) 摘要：通过实验．研究了M窖。掺杂对B^s币岛陶瓷弁电性能的影响和机理。观察了样品的微震形貌。讨论了氧化镁 在调整B4l，shl∞3铁电啕瓷的介电．温度特性的作用。结果表明．氧化镁掺杂对Bal鼻棚o，系介质陶瓷产生了压峰和 移峰作用。借助扫描电镜对所制得的样品进行了分析。氧化镁掺秘使B8l。sF脚0，系介质陶瓷的结构细晶化。I；【实验结 果和微观结构分析为依据探讨了氧化镁掺杂改性作用的机理． 关键词：Bal。瓯1．i如；舟电特性；Mgo；掺杂 中国法分类号：TB32l 文麓标识码：^ 文章编号：l∞2．185x口0071s1．0517．∞ 1引言 3性能测试 LcRM时er 电子信息，航天、火箭、航海、核工业等领域都 本实验采用Automatic 4225仪器测试 需要工作电压离、损耗小、体积小、可靠性高的陶瓷 试样20℃时的电容量c和介质损耗因素D，然后计 电容器，随着集成电路(LC)、大规模集成电路的发展， 算试样的最和ta西，材料的介电系数温度变化率采用 陶瓷电容器将会有更大的发展和应用前景。目前主要 AutomaticLcRMeter 4225结合智能温度控制系统进 发展趋势是要求无铅化、大容量，小型化，低损耗， 行测量并计算。 ． 低成本等【1．2】。本工作研究了掺杂MgO对无铅陶瓷介 4结果与讨论 电性能的影响。 4．1 M90掺杂量对试祥性能的影响 2实验 在1290℃、保温2h烧结条件下。试样的介电常 实验采用的原料为：B8co，(北京市红星化工厂)、 数即介质损耗tand和居里温度瓦等性能随Mg“加 src03(天津市化学试剂三厂)、Ti02(天津市化学试剂三入量变化的情况见表1。 厂)和少量掺杂荆Mgo(天津市化学试剂三厂)等， 原料的纯度均为分析纯。 表l M矿掺杂量对试样性能(20℃的影响 TIbIel Tbe e哦ct“Mg”c¨mt“pmperHH 本实验的主配方为(Bao“sr036)Ti03，M90的掺杂 ofthe3^m口Ie5 量为O，6％～2．6％(质量分数，下同)，其余为其它少量 丛￡：!竺些 生 !!业!!!_二型兰垒g￡垡!二!墅!坐 添加物。按照主配方称取Baco”srC03和Ti02等原O．6 629I 27—2 60．57 料，按照料：球：水=1：l：2，以去离子水为混合介质球磨 1．O 6259 27 —5 52．67 l_4