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第37卷 增刊2 稀有金属材料与工程 V01.37,Suppl.2
2008年 5月 RAREMETALM—汀ERIALSANDENG胍ERING 2008
May
李晨霞L2,徐时清1,方达伟2
(1.中国计量学院光电子技术研究所,浙江杭州310018)
(2.上海理工大学光学与电子信息工程学院,上海200093)
nm
的激光二极管激发,SrB407:Eu荧光粉在室温下,被观察至UEu2+离子6P7,2—8S他跃迁产生的紫外光(385nm)和Eu3+离子5D0—7Fl、
nm);
nm)、红光(614rim)、红光(660rim)、深红色光(720
5D一7F2、5】D一7F2、n7F3、5Do一7F4跃迁分别产生的橙色光(590
在Eu和Ce共掺的荧光粉中,Ce”离子敏化Eu2+离子发光,Eu2+离子发射的紫外光强度增加,而Eu3+的发射光减弱。
关键词:高温固相法:荧光粉;荧光光谱
中图法分类号:0482.3 文献标识码:A 文章编号:1002.185X(2008)$2-391-03
义,近年来,以硼酸盐为基质的发光材料因其合成简
1 引 言
便,烧结温度低,发光亮度高而被认为是具有使用价
21世纪上半叶全球进入光子时代,以光产业为代 值的发光基质,由于硼酸盐结构复杂,这种复杂的结
表的光子产业兴起,光子技术的迅速发展已带来一场 构对稀土离子的发光具有一定的影响[删。本文合成了
超过电子技术的新产业革命。快捷、安全、健康、环 了一种新型SrB。0,:Eu,Ce荧光粉,并分析了荧光粉的
保将成为市场消费主题,半导体照明因其节能与环保 发光特性和稀土离子之间的能量传递。
等特性在上述四大领域中具有广阔的市场空间,潜力
2实验.
巨大,将成为2l世纪最大行业。作为光电子产业的重
要组成部分,以光电元件为基础的半导体照明技术正
在孕育着一场新的产业革命——照明革命。半导体灯 研究对象。所用原料均为分析纯,其中稀土Eu20,和
采用发光二极管作为新光源,在与普通白炽灯保持同 Ce02的摩尔分数为99.99%。称取混合料30g,充分混
样亮度下,其耗电量仅为后者的1/10,寿命却可以延 合,搅拌均匀。荧光粉合成条件确定采用差热分析法,
长100倍。业内普遍认为如同晶体管替代电子管一样,
半导体灯代替白炽灯和荧光灯,即取代传统照明将是 据差热分析结果配制荧光粉样品,并测量光谱。
大势所趋。随着白光LED发展,人们对其关键的荧光
材料提出迫切而又苛刻的要求,例如在10W的可见 光谱仪测试,用250nln激光二极管(LD)作为激发源,
光中,由荧光材料所产生的可见光为8.8W,表明荧 最大功率为2W。
光材料对灯的光效起决定作用,因此研制出光转换效
3结果与讨论
率更高,物化性能优良的荧光材料已经成为研究的热
点【l卅。 3.1 荧光粉合成条件确定
近紫外/荧光体(在紫光或紫夕FLED芯片上涂敷荧 将试样按一定的化学组成配比充分研磨混合均匀
光粉)发展迅速。这一方案具有许多优点,特别是表 后
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