分子束外延nGaAsSIGaAs薄膜材料的拉曼光谱研究.pdfVIP

第28卷，第9期 光谱学与光谱分析 200 and 8年9月 SpectralAnalysis September，2008 Spectroscopy 分子束外延咒一GaAs／SI—GaAs薄膜材料的拉曼光谱研究 王 斌1’2，徐晓轩1’2，秦哲1’2，宋 宁1’2，张存洲1’弘 1．南开大学泰达应用物理学院，天津300457 2．南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室，天津300457 cm-3)的刀一GaAs薄膜。通过在室温下拉曼光谱的测餐对疗一GaAs薄膜的谱形进行了分析，拉曼位移出现了明 显的移动，光学横模TO峰相对的增强，光学纵模IA3峰相对的减弱。文章分析了原因这是由于Si掺杂浓度 不断的提高，致使界面失配位错不断地提高造成的，内部应力也在不断的增大，原来的晶格振动平衡被破 坏，四价Si替代了三价Ga致使谱线移动。并且由于横声子模具有Raman活性，横声子模被相对的增强了。 实验结果与理论是互相吻合的。 关键词分子束外延；n-GaAs／SI—GaAs掺杂浓度；拉曼光谱 中图分类号：0433．1文献标识码：A IX)l：10．3964／j．issn．1000—0593(2008}09—2103-04 引 言 1实验部分 在目前多种量子点结构制备技术当中，MBEr卜3]自组 装[4咱1量子点生长方法已经成为最热门的技术途径之一。如 beam 何进一步提高MBE自组装量子点的生长质量、获得高发光 高真空的情况下在衬底上面不断的沉积GaAs，并且均匀的 效率的长波长自组装量子点结构是目前的研究重点之一。 使si掺杂到其中，三块掺杂样品的掺杂浓度分别为6．06× GaAs材料作为一种高量子效率、低暗电流的半导体材料，1016咖～，6．27x10”啪-3和6．94×1018ClTI～，分别记为样 一直受到研究人员的关注。半绝缘GaAs是利用分子束外延品B，C和D。为了便于比较，同时取没有掺杂Si的纯GaAs (MBE)技术生长半导体器件和低维结构中常用的一种重要 材料记为样品A。 衬底材料，随着光电子技术的不断发展，对GaAs衬底材料 的需求越来越大，种类越来越多，并要求进一步降低材料位 Raman光谱仪上进行拉曼光谱测试。在室温下(300K)使用 错、减小应力和提高均匀性等，其质量对生长的器件和结构 He-Ne激光器(632．8mn)为激发光源，样品表面上的激光功 有至关重要的影响[7邝]。通过量子点材料的拉曼光谱可以了 S， 率为5mW左右，物镜50倍、累积次数3次、采集时间10 解这些半导体器件和结构的内部特征，其内部结构的细微变 通过连续扫描在200～350cm_1范围间获得拉曼谱线。 化均会引起拉曼谱峰迁移和变化。掺杂元素Si进入GaAs材 料中[9’10]，引起的畸变在拉曼光谱上将会表现出来。 2结果与讨论 分子束外延技术生长的行一GaAs薄膜，不同掺杂浓度的 样品进行拉曼光谱测试，对拉曼谱峰位移和强弱进行了研究 和讨论，对于今后器件的生长，对于内部应力等要求的实 施，具有很重要的意义。实验同时得到结论拉曼光谱测试是 291．9 CITI～，分别对应为GaAs的横声子模(TO)和纵声子模 一种较好的高灵敏无损检测手段。 (L())。样品B的峰为266．1和291．0cm一。样品C的峰为 265．8和289．6