La0875Na0125MnO3外延膜的制备及CMR效应.pdfVIP

第37卷 第12期 稀有金属材料与工程 V01．37。No．12 2008笠 12月 RAREMETALMATERIALSANDENGINEERlNG December2008 韩立安，王瑞平，渊小春，班丽瑛，常琳，孟泉水，贺拥军 (西安科技大学，陕西西安710054) 摘要：通过射频磁控溅射法在单晶LaAl03(100)衬底上成功地外延生长了膜厚为90．8rim的La0875Nao．12sMn03薄膜。 用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征。结果表明，薄膜为赝立方钙钛矿 K。在居里温度附近，发生铁磁．顺磁转变。此材料呈现 结构，具有良好的(100)Jb延取向和光滑表面。居里温度Tc=275 出一种典型的自旋玻璃特性，是由于应力造成的。薄膜的电阻率随温度变化的P．T曲线出现双峰。高温电阻峰巧1出现 在居里温度附近，来源于铁磁金属体向顺磁绝缘体的转变。而低温电阻峰昂2出现在T=178K，是由于相分离引起的。 在4T强磁场下，相分离现象消失。另外，薄膜的磁电阻曲线也呈现出双峰特征。 关键词：La0．875Nao．125Mn03外延膜；相分离；CMR效应 中图法分类号：0482．5：0484．1文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2008)12．2169．04 钙钛矿稀土锰氧化物REMn03(RE为稀土元素，探讨CMR效应的起源提供更多的信息，并对全面理 解CMR效应具有重要价值。对于单价Na元素掺杂锰 如La，Nd，Pr,Sm等)为反铁磁性绝缘体，当稀土离子 氧化物薄膜的研究，至今仍是空白。本研究采用射频 RE3+被二价离子A2+(如Ca，SrPb，Mg等)部分替代后， 形成的掺杂稀土锰氧化物REl。AxMn03由于具有庞磁磁控溅射法在单晶LaAl03衬底上制备了 电阻效应(CMR)、巨磁熵效应等，在磁记录、高灵敏Lao．875NaLo．125Mn03薄膜，研究了其磁电特性。 度探测器、传感器等方面有着极大的应用前景【1卅，同 1 实 验 时呈现出丰富的物理内涵如：Jahn．Teller畸变、相分 离、电荷有序等，从而激发了广大科研工作者的浓厚 兴趣m61。人们采用各种手段如：元素替代、等静压、 ℃焙烧5 磁场和电场，以及光、超声等，来研究此类材料的各 种相变，来寻找CMR效应的起源。对于锰氧化物， 人们通常根据Zener的双交换作用[7】来解释其磁电特 适量的柠檬酸和乙二醇，搅拌得到均匀透明的溶液， 性。但是后来，Miller等人【8】认为，仅仅依靠双交换作保持90℃缓慢蒸发至生成粘稠溶胶，将溶胶在150℃ 用并不能完全定量地解释锰氧化物的电阻和磁电阻量 烘干生成凝胶，将凝胶在马弗炉中800℃预烧5h使有 级问题。近年来的实验和理论研究发现，逾渗模型的 机物分解，然后分别在1100℃和1200℃焙烧10h，将 h 相分离理论在理解这种强关联电子体系锰氧化合物中 烧结物在250MPa压力下压片，在1300℃下烧结24 起着重要作用【9】。相分离理论认为，此类化合物中不 即可得LaL0．875Nao．125Mn03(LNMO)靶材。 均匀的共存多相基态，易于被外场(如磁场、电流场、 利用射频磁控溅射方法，将厚度为5mill，直径为 激光等)影响。对于钙钛矿锰氧化物薄膜，绝大部分 50 研究工作都是采用二价金属元素[10,11】进行掺杂，而有 薄膜。溅射时，真空沉积室通入Ar和O：为等离子体源， 关单价金属掺杂效应的报道很少[12,131。单