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第24卷第1期 无机材料学报 V01．24，No．1
of Materials
2009年1月 JournalInorganic Jan．，2009
文章编号：1000-324X(2009)01-0049-04
PLD法制备Ti02薄膜及电阻转变特性研究
曹逊1”，李效民1，于伟东1，张亦文1’2
(1．中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室，上海200050；2．中国科学院
研究生院，北京100049)
析表明，TiO：薄膜表面平整、光滑致密．电学测试结果表明，TiO：薄膜具有明显的单极性电阻转变特性，高低阻态比值
达到104．高阻态下薄膜的导电过程可用空间电荷限制电流模型解释，过程中存在软击穿现象．在此基础上，对薄膜中
丝导电通道的产生及熔断过程进行了初步分析．
关键词：脉冲激光沉积法；单极性；电阻转变特性；TiO：薄膜
中图分类号：0484 文献标识码：A
of Films
ontheResistive BehaviorsThin PulsedLaser
Study Switching Ti02 by Deposition
CAO Yi．Wenl·2
Xunl．-，LIXiao．Minl，YUWei．Don91，ZHANG
of and Instituteof
PerformanceCeramics
(1．StateKeyLaboratoryHigh SuperfineMicrostructur皓，ShanghaiCeramics-Chinese
of oftheChinese of 100049，
AcademySciences，Sh舳曲ai200050，China；2．GraduateUniversity AcademySciences，Beijing
China)
thin with behaviors 1
films resistive were on sub-
Abstract：TheTi02 switching grownPt(11)／Ti／Si02／Si
strates laser electrical atomicforcemicro-
microscope(SEM)and
bypulseddeposition(PLD)．Scanning
tocharacterize films evidentdiffractionof
scope(AFM)wereemployed the够-grownrespectively．No peak
is in films or
found exhibit
Ti02 X—ray nanocrystalline
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