CBN电子结构和光学性质的第一性原理计算.pdfVIP

第37卷 增刊l 稀有金属材料与工程 v01．37，Suppl．1 R／铽tE醚拦强LM≯滞嚣袋狐lSANDENGl艇ERlNG 2∞8 2∞8年 l秀 巍赫uary eBN电子结构和光学性质的第一性原理计算 喻亮，茹红强，左 良，薛向欣 (东憩大学髓辩与凌金学貌，辽宁淀疆110∞霹) 攘婺：裁惩第一经漾疆计算?立方氮纯硼(cBN)懿毫予结梅秘光学性窟。诗冀缡采表疆e耘N藩予宽蘩带阕按链隙 半导体，豢踩蓬秀4。了6 O．15653 nm，吸收长波限值约为110nm，静态介电常数为4．536，光吸收系数及禁带宽度随着外加压力的增大而增大。 努裂麓杂纯辘遂瑾论帮分子辘邀瑾论对c8N豹壤子态避行分析，分予簸道理论耍畿解释D0s诗算静绪采。 关键游：c纛N；电子续梅；襞豢绪糖；光学瞧震 33 中图法分类号：TG 文献标识码{A 文章编号：1002，185X(2008)S1．662，05 1，引 言 立方氮化硼(cBN)是典型的磁．V族氮化物，其 肖皴图la所示豹闲锌矿缩孝每。cBN的硬度高、纯学性 质稳定，能隙的实验值为63ev，是制作大功率、短 波长、耐高温电子器件的理想材料，在高温半导体和 光学装置方面鼹有广阔的应用前景，被认为是2l世纪 最有潜力的材料之一(1，21。近年来，人们对BN管的能 带和光学的理论研究徽了很多工雩罄(3q】，毽对予晶体娃 潮l eBN晶体绻{旬和计簿模攫 strIlcture 及轨道对称性鞫能带电了：态之间关系及超高压下cBN Fig．1Crystal ofcBN(a)andcomputationmodel(b) 的熊带和光学性质变化的研究逐米见掇道。第一性原 《gfeyball—B浊lacl‘ball划 理赝势计算法如广泛应用于材料的模拟f¨l。它基于电 Goldf．arband 子密度泛函理论，不受实验影响，不做过多假设，从 采用 BroydenFleeher Shanno 最基鼹|；薛物理定律对材料作物理特性探讨。数本研究 (BFGS)算法对模型优纯。参数：荤漂子能羹醵收敛 采用密度泛邈邂论和广义梯度(GGA)近似，计算了 cBN电子结构和光学性质并研究了cBN能带结构和光Feynman(H．F)O．1eV／nm；晶体内应力O．02GPa； 吸收系数隧外援力豹交纯援律，为c释N在超麓压下豹 原予最大位移5×l酽n擞。 应用提供了理论依据。 采用超软溪势(Ul髓so裁来撰述原子核与侩电 oV， 子之间的相互作用。平面波截止能(Ecut)为770 2计算模型和方法 eBN燕面心立方晶体，具有F堪3瑾瓣称性。密度N覆予2≯2p3电子，B原予每N藏孑收敛能量分嬲为 ．70．3620 eV和一262。O008eV。k网格划分为8×8×10， 为3．48∥cm3，晶格常数a=b—c—O．3615础，a叫转 采用Pul姆密度混合法。 严900，B、N麋子距离为O。157鼬。B原予坐标为(O ◇0)、(0l忿l兹)、(1趁§l忿)、(1趁l忿O)；N覆子坐