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第24卷第2期 无机材料学报 V01．24．No．2
of
Journal Materials
2009年3月 Inorganic Mat．，2009
文章编号：1000-324X(2009)02-0234-05
CuO／Si02复合薄膜的微观结构和发光特性分析
石锋，李玉国，孙钦军
(山东师范大学物理与电子科学学院，济南250014)
摘要：采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu／SiO：复合薄膜，然后在N：保护下高温退火，再于空气中自然冷却氧
化，制备f{{低维CuO纳米结构，并财其微观结构和光致发光进行研究．退火温度为1100。C时样品中主晶相为立方晶系的
温度下退火后，光致发光谱中f{5现紫外光和紫光，这是由丁复合薄膜中CuO的导带底到Cu空穴缺陷能级的跃迁导致的．
关键词：射频磁控共溅射法；CuO／SiO，复合薄膜；微观结构；光致发光挣陛
中图分类号：0484 文献标识码：A
toMicrostructureandPhoto—Luminescent
Analysis Properties
Thin
of Films
CuO／Si02Composite
SHI
Feng，LIYu—Guo，SUNQin—Jun
of and Normal
(CoHegePhysicsElectronic，ShandongUniversity，Jinan250014，China)
thinfilmswere on 1 radio
Si(11)substratesfrequency
Abstract：Cu／Si02composite depositedn—type by
at in andOX·
(RF)magnetronCO—sputteringmethod，annealedhightemperatureN2atmosphere，thencooling
idationintheairto CuOnano—structure．The and
fabricate micro—structure
low—dimensionality photo—lumi—
nesceflt werestudied．Themain of iscubic faceand forms
properties phasesample CuO(200)crystalsample
nano—linestructurewith elementsasthemain toform thinfilminthe
Cu，O componentsCuO／Si02composite
surf
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