Gd掺杂对PZT薄膜介电性能及极化行为的影响.pdfVIP

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2017-09-11 发布于江西
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Gd掺杂对PZT薄膜介电性能及极化行为的影响.pdf

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第23卷第5期无机材料学报 V01．23．NO．5 of Materials Journal 2008年9月 Inorganic Sep．，2008 文章编号：1000—324X(2008)05—0872—05 Gd掺杂对PZT薄膜介电性能及极化行为的影响孙秋1，_，魏兆冬2王福平2，姜兆华2 (哈尔滨工业大学1．化学工程与技术博士后流动站，2．应用化学系，哈尔滨150001) 电常数相差不大，Gd掺入量2m01％时，薄膜的介电常数下降；薄膜的不可逆极化值呈现与介电常数相同的变化趋势，而可逆极化值变化较小．在弱电场下(低于矫顽场及)，用瑞利定律分析薄膜介电常数随电场强度的变化规律，lmol％Gd掺杂的薄膜瑞利系数OL最大，说明薄膜中缺陷的浓度最低．1tool％Gd掺杂的薄膜介电和铁电性能的改善与Gd3+在PZT晶格中的占位情况有关．关键词：PZT薄膜；稀t掺杂；介电性能；极化行为中图分类号：TGl5文献标识码：A Polarization EffectofGd onDielectric and Behavior Doping Properties ofLeadZirconateTitanateThinFilms SUN Zhao-Don92，WANG Zhao-Hua2 Qiul，一，WEI Fu—Pin92，JIANG Stationof and Instituteof (1．PostdoctoralChemistryEngineeringTechnology,Harbin of Instituteof 1 150001，China；2．DepartmentAppliedChemistry，HarbinTechnology，Harbin50001，China) thinfilmswithdifferentGd Abstract：Highly(100)一orientedPb(Zr0．52Ti0．48)03 dopants(PGZTx， on substratesthe x=0，lm01％，2m01％，3m01％，5m01％Gd)werepreparedPt／Ti／Si02／Si by sol-gel and thermal dielectric ofthePZTthinfilms techniquerapid annealing(RTA)process．Theproperties withlm01％Gd is withincreaseddielectric anddecreaseddielectricdissi- improved permittivity dopant of Gd aremorethan2mol％．dielectric the PZTthin pation．However．whendopants prop