一维有序ZnO纳米棒阵列的制备与表征.pdfVIP

第28褥，第10期 光谱学与光谱分析 200 and Oetobet，2008 8年10月 SpectroscopySpectralAnalysis 一维有序ZnO纳米棒阵列的制备与表征 刘 然，章 婷’，赵谡玲，徐 征，张福俊，袁广才，徐叙塔 j￡蒙交遴大学发光与踅售惠技零教弯郄重点霎验塞，j￡窳交逶大学走毫予毅零褥究掰，l￡哀100044 摘要通过改进传统水热法的密闭、高压的条件，在j}密闭、常压环境下在氧化铟锡玻璃衬底上自组装生 长了取向高度一致并且分散性好的ZnO纳米棒阵列。首先将乙酸锌溶胶旋涂到氧化铟锡玻璃衬底上，经热 处理得到致密的ZnO纳米晶薄膜，然詹将其垂直放人前驱体溶液中通过化学溶液沉积生长得到ZnO纳米棒 薄熨。室温条够下，霹襻曩透每了S嚣骐秘XRD豹测试+袭骥生戒的氧纯镩绫涨捧蓐弼疆c辆驭淘，实褒了 定囱生长，显缡米棒结晶较好，努六方野锌矿结褥，妻经约为40勰，长渡这疆徽米量缓。室潺下豹吸狡党 谱表明，由此方法得到的纳米棒纯度较高，有强的紫外暇收。室温下，观测到了该有序ZnO纳米棒阵列在 387nln处强的窄带紫外发射，半高宽小于30 ILrfl处还有一强度较弱的蓝光发射峰。 r一，在468 关键词ZnO纳米熬薄膜；ZnO纳米棒阵列 1000固593(2008}10-2249-05 孛蚕分类号：079；0649．4文黻豁浚码：A DOI：10。3964囊。issrk 传统的水热法强以封闭的高压斧作为反应装置，在高疆 引 言 环境下进行反应的。本文对此方法进行改_ii}，以普通烧杯做 为反应容器，在常压下进行反应。采用两步法，首先用溶胶 鬣诧锌是一种宽裴蛰轰搂半导淬材辩，警激下其禁带宽 趱膜法竞在村底上生长一层氧化锌纳米藏薄膜，然后通过{{： 发海3．37eV，激子素缚麓为60meV，霹激蜜麓室渥下熬激 缮溶滚滚菝法，在鬣纯锾锈(ITO)瑗璃褥褒上定舞生长ZnO 予发射，产生近紫外豹短波发光，被用来制备光电器件，如 纳米捧阵列。琢此方法我们合成了高度敬向，直径约40蚴， 紫外探测器、紫外激光器等。另外ZnO还具有很好的导电、 长度达到微米量级，绒晶较好的纳米棒阵列。阵列膜具有高 导热和化学稳定性能，程太阳能电池、传感器和光催化方面 的表比面积，并可以实现大面积生长，为器件的制备打下了 有广泛的应用前景。因此成为国际上半导体{}|料研究的热点 翳窟的基础。 之一。lll}一维半导薅榜辩鬻裹予冀独特的镑纛特蛙及在必电 子器静方嚣豹巨大潜力，螽受久粕懿关注Ho]。将纳米ZnO 1实验 用予电致发光器件中对提高器件性能很有帮勘Ⅲ。在基底上 高度有序生长的ZnO纳米结构可制作短波激光器12]和 室温下，将二水合乙酸锌溶解在乙二醇甲醚溶液中，然 聪加入与zn2+等摩尔浓魔的乙醇胺。在60℃条件下搅拌30 Graetzel太阳能电池电极c“，成为人们的研究热点。特别是 Ht撼n92)等成功璁测戮塞澡下规则的ZnO纳米线阵列的光nun，形成zn2+浓度必0。75tool·L-1静透明、均一的溶胶。 致綮羚激走发骛季瑰象，极大整动了在罄{奉鍪筑上髑备赢囊鸯 l∞孛于瘫懿涛洗，努爨蘧露囊、无零乙黪裙嵩缝拳踅声涛 序的Zn0纳米捧阵剜的研究。 洗，而后用N2吹予。将此溶胶旋涂在ITO玻璃材底上，放 目前，高度有序的ZnO纳米棒可被生长猩Si[；]，GaN[钉