薄膜在电场作用下的可见近红外波段光学吸收特.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ， 1 ’ %! ’ FG7.1EG.’2)9HI%! ／ ／ （ ）／ !,’%%!1’ 1/!,1 *?@*ABCD?*CDED?* !%!?I3:.IK.CGH. J ############################################################### ! #$%薄膜在电场作用下的可见—近红外波段 光学吸收特性! 张琦锋 侯士敏 张耿民 刘惟敏 薛增泉 吴锦雷 （北京大学电子学系，北京 ） !#$! （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） % ’ % !! %! 对超额 激活的 复合薄膜在外加垂直表面电场作用下的光学吸收特性进行了测量 结果显示，薄膜 () * ,()- . + 在可见—近红外光波段存在两个吸收峰，其中近红外光区的吸收峰强度随垂直表面电场的作用而降低 理论分析 . 表明，可见光区的主吸收峰源于埋藏在 半导体中的 超微粒子的表面等离激元共振吸收；近红外光区的次吸 ()- * + 收峰则由 半导体基质中杂质能级的光吸收引起，杂质能级的产生与超额 在 晶体中造成的氧缺位有关 ()- () ()- . 在外加垂直表面电场作用下， 基质中的杂质发生电离，并导致杂质能级上束缚电子浓度减小，表现为薄膜在与 ()- 杂质吸收相对应的光子能量范围内的光吸收随电场强度的增加而降低. 关键词：光吸收，金属超微粒子 半导体复合薄膜，表面等离激元，杂质能级 , ： ， ， ， ’!(( $#// ’/0 $’% $!11 离激元共振频率附近形成大的吸收峰 文献［ ］报 . !% 引 言 道了* ,()-薄膜在波长0!: 附近出现的表面 ! + 等离激元共振吸收增强现象，并讨论了吸收光谱对 将尺度为纳米量级的金属超微粒子埋藏于半导 金属粒子尺寸的依赖关系 然而，实际的 薄 . * ,()-