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2000 年 4 月 西安电子科技大学学报 自然科学版 Apr. 2000
第 27 卷 第 2 期 J OU RNAL OF XID IAN UNIV ERS I TY Vol . 27 No. 2
蓝宝石/ 氮化铝衬底上 Si C 外延薄膜的 X 射线衍射分析
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彭 军 , 朱作云 , 贾护军 ,
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杨银堂 , 郑有 火斗 , 郭振琪
(1 西安电子科技大学 微电子所 陕西 西安 710071 ;2 南京大学 物理系 江苏 南京 210093 ;
3 西北大学 分析测试研究中心 陕西 西安 710069)
摘要 : 介绍了在蓝宝石/ 氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术. 通过在蓝宝石衬底上
预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善. 用多种 X 光衍射方法对
生长在蓝宝石/ 氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析 ,结果表明 ,可在这种衬底上成功地
生长出 6HSiC 单晶薄膜.
关键词 : 蓝宝石/ 氮化铝复合衬底 ;X 射线衍射 ; 晶格失配
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中图分类号:TN30424 文献标识码 :A 文章编号 2000
Analysis of the SiC thin film epitaxy on the s app hire/ AlN comp ound
substrate by Xray diffraction
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PENG J un , ZHU Zuoyun , J IA Huj un ,
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YANG Yi nt a ng , ZHENG Youdou , GUO Zhe nq i
( 1. Res earch Ins t . of Microelect ronics , Xidian Univ. , Xi′an 710071 , China ; 2 . Nanjing Univ. , Nanjing
210093 , China ; 3. Nort hwes t Univ. , Xi′an 7
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