集成电路的二次封装屏蔽硬X射线研究.pdfVIP

维普资讯 第27卷 第 l2期 核 技 术 Vo1．27，No．12 2004年 l2月 NUCLEARTECHNIQUES December2004 集成电路的二次封装屏蔽硬X射线研究 郭红霞 韩福斌 陈雨生 谢亚宁 黄字营 何 伟 胡天斗 卫 宁 于伦正 1(西北核技术研究所 西安 710024) 2(中国科学院高能物理研究所 北京 100049) 3(骊山微 电子公司 西安 710075) 摘要 在集成电路x射线剂量增强效应研究的基础上，提出对典型器件开展硬x射线二次封装屏蔽加固技术 研究。首先用MonteCarlo方法进行了模拟计算。结果表明，针对硬x射线选用高z材料作二次封装材料可以 达到较好的屏蔽效果。根据计算的结果，在北京同步辐射装置上，利用已经建立的存储器测试系统，对采用 不同厚度封装材料的二次封装集成电路SRAM 62256作了屏蔽效应实验，证实了采用二次封装屏蔽加固技术 方法后，电路抗x射线的总剂量失效阈值提高了一个量级。建立的屏蔽加固方法对提高器件抗辐射能力具有 重要意义。 关键词 蒙特卡罗模拟，硬x射线，屏蔽，加固技术 中图分类号 0434．1，TN305．94 运行在强辐射环境中的电子系统需考虑抗X射 1器件二次封装屏蔽蒙特卡罗计算 线总剂量加固问题。当光子能量不高时，可以采取 计算的二次封装模型如图I所示。假设入射的 优化的屏蔽防护来减小强辐射环境下x射线造成的 x射线能通量为 4．18J／cm ，选用某种壳体材料， 电子系统的损伤。这样不仅可以达到较好的屏蔽效 用高z材料钽作为半导体器件二次封装材料，厚度 果，还可以提高系统的有效载荷。 分别为0．1、0I3、0．5mm，分别计算了能量为45、 本文首先用MonteCarlo方法进行了模拟计算。 55、65、75、85keV的单能x射线穿过壳体材料和 结果表明选用高z材料作二次封装材料时，lc 穿过壳体材料、空气及器件二次封装材料后的剂量， 厚的钨或钽，可以达到较好的屏蔽效果。研究结果 计算结果如表 l所示。 表明高z材料和芯片之间由于存在Kovra或陶瓷等 钽材料的吸收限在 75—85keV能量之间，此能 封装材料，材料的厚度一般大于次级光电子的射程， 段的光子被急剧吸收。穿过壳体材料、空气和二次 这样既达到屏蔽效果，又不会因为二次封装的高 z 封装材料后剂量衰减了近两个量级。 材料产生的二次电子造成器件辐射损伤。 对典型元器件采用二次封装，可以达到很好的 我们同时对电子元器件采用二次封装作了效应 屏蔽效果，高z材料和芯片之间由于存在Kovra或 实验，对于能量在2O—l00keVX射线谱，虽然器 陶瓷等封装材料，而封装材料的厚度一般大于二次 件存在剂量增强效应，导致其失效阈值小于Y射线