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第45 卷 第 19 期 2000 年 10 月 简 报
纳米InP 镶嵌复合薄膜的制备和光学性质
郑茂俊 张立德 李广海 姜 治
( 中国科学院固体物理研究所, 合肥230031. Email: nanolab@mail.issp.ac.cn)
摘要 用射频磁控共溅方法制备了InP-SiO 纳米颗粒镶嵌复合薄膜, 分析了它的结构和形成规律.
2
X 射线衍射和Raman 谱结果表明, InP 纳米颗粒呈多晶结构, 颗粒平均尺寸为3 10 nm. 观察到
了InP 纳米颗粒Raman 峰的红移和宽化现象, 可用声子限域模型给予解释. 光学透射谱表明, 该
复合膜的光学吸收边在整个可见光范围可调制, 用量子限域效应解释了光学吸收带边的显著蓝移
现象. 对于该体系, 由有效质量近似模型得到的理论值明显大于实验结果. 分析表明, InP 纳米颗
粒的激子有效质量并非为常数, 而与颗粒半径成反比关系, 这可能是导致理论值与实验值差别的
主要原因. 讨论了该复合膜中InP 纳米颗粒由直接带隙向间接带隙转变的可能性.
关键词 纳米镶嵌复合薄膜 磁控溅射 声子限域效应 量子限域效应
半导体-SiO2 纳米颗粒镶嵌复合薄膜与相应的大块材料相比已显示出许多独特的光学性质,
如三阶光学非线性响应增强 响应速度快[1, 2] 可见光区的光致发光特性等. 因而这种纳米复
合材料在信息储存 高速光开关及波导管等领域有着广泛的应用前景. 这方面的实验和理论
研究已引起人们的广泛关注. 但是由于受样品制备的限制, 这方面的研究主要集中在
族和 族半导体, 如 Ge[3], ZnSe[4], CdS[5], ZnS[6] 等. 最近几年, 利用溅射技术已制备出一些
[7 9]
族半导体-SiO2 颗粒膜 , 但至今未见有关 InP-SiO2 复合膜报道. 本文报道用射频磁
控共溅方法制备InP-SiO 纳米颗粒镶嵌复合薄膜, 研究了该复合膜的光学性质.
2
1 实验
样品制备采用二步法. 首先用射频磁控共溅方法沉积非晶 InP-SiO2 复合膜, 然后退火处
理获得 InP 纳米晶镶嵌复合薄膜. 溅射靶由直径 60 mm 厚4 mm 石英玻璃和 InP 单晶片及
高纯红磷组成. 通过改变靶面InP 与SiO 的面积比控制薄膜中InP 的含量. 基片为Ø10 mm 1
2
mm 的双面抛光石英玻璃, 基片放入沉积室之前, 在酸性溶液中浸泡和丙酮液中超声清洗, 然
后用去离子水冲洗 4
烘干. 溅射系统的本底真空为1.0 10 Pa, 溅射过程中Ar 气压为2 Pa, 溅
射功率为 170 250 W. 通过改变制备条件, 可得到不同平均尺寸的InP 纳米颗粒镶嵌复合膜.
X 射线衍射(XRD)在Philips PW-1700 X 射线衍射仪上进行, X 射线源为 l = 0.154 18 nm
的CuK射线. 室温Raman 光谱在 SPEX-1403 激光Raman 光谱仪上进行, 光源为Ar+ 激光器
的514.5 nm 线. X 射线光电子能谱(XPS)在VGES
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