基于SOI基底的高通量细胞电融合芯片.pdfVIP

V01．30 高等学校化学学报 No．1 CHEMICAL．TOURNALOF 2009年1月 CHINESEUNIVERSITIES 42—45 基于SOI基底的高通量细胞电融合芯片 胡 宁1，杨 军1，侯文生1，郑小林1，曹毅1’2，杨静1，许蓉1，张瑞强1 (1．重庆大学生物工程学院，重庆400030；2．重庆城市管理职业学院电子信息工程系，重庆400055) 摘要提出了一种以MEMS技术为基础，可在低电压驱动条件下工作的创新型细胞电融合芯片．该芯片的 设计原理在于通过缩短微电极间的间距，在低电压条件下获得足够强度的排队和融合电场强度．原型芯片 以SOl硅片为加工材料，通过刻蚀方式在顶层低阻硅形成微电极和微通道；在微电极上沉淀2 ILm厚的铝膜 以降低电阻率，提高导电性；通过FECVD方法形成150nm厚SiO：保障铝膜的抗腐蚀性及芯片生物相容性；