微波单片电路中通孔的建模.pdfVIP

维普资讯 微波单片电路中通孔的建模 胡志富，王生国，何大伟，蔡树军 (河北半导体研究所 ，石家庄050051) 摘要：分析 了理论公式在计算截圆锥通孔电感 中的局限性。设计 了频率在 20GHz以下Gab,8 基微波单片电路 中通孔的专门测试结构并建立 了其对应的等效电路 ，用去嵌入寄生参数的方法和 安捷伦公司标准的 IC．CAP建模系统提取 了通孔的模型参数。发现对截 圆锥结构的通孔 ，用公式 计算 出来的通孔的电感值 比实验的结果大36％。设计 了一个 14～18GHz、增益大于 17dB、输出 功率为 1W 的GaAs基微波单片电路 ，验证 了模型的准确性。 关键词 ：通孔 ；模型；IC．CAP 中图分类号 ：TN405 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003．353X (2008)03．0272．03 ModelingViaHoleStructureinM M IC HuZhifu，WangShengguo，HeDawei，CaiShujun ( fSemiconductorResearchInstitute，Shljiazh~ng050051，China) Abstract：Thelimitationofthehteoretical formulawasanalyzedforcalculatinghteinductanceofcolunln viahole．A peculiarmeasurementstructure ofviahole in GaA8．based MMIC wasdesigned with frequency lowerhtan20 GHz．Theequivalentcircuitofhtemeasurementstructure wasgiven．Themodelingparameter 0fviaholewasextractde byhtede．embeddingmehtodnadIC．CAPsoftware． ItiSpmvedthathteinductance ofviaholein htoeryis36％ largerhtna htatfrom expe riments．A 14～ 18GI-lz GaAs．based MMIC was． designde ．htegain ofwhich islagerhtna 17dB with 1W outputpower． eaccuracy ofhte modelwas validatde byhteGaAs．basde MMIC． Keywords：viahole；model；IC．CAP EEACC：2570A 0 引言 1 通孔电感的理论计算 通孔是微波单片集成 电路 (MMIC)中常用 的 R．Pucel对圆柱形通孔 (图 1)的理论分析认 无源元件。其 目的是减少接地 电感和缩短传热通 道 ，对微波和毫米波的器件及单片电路设计尤为重 要。在 FET结构 中，源条一般通过通孔接地 ，通 孔本身会 引入一个 电感 ，这个 电感会使源电感增 加 ，相当于引入了一个直接反馈路径 ，影响电路的 《 性能，尤其是在频率高端，使得增益下降，带宽降 ) 低-1】。精确建立通孔的模型，并提取其模型参数， 图 1 圆柱 通孔的横截面结构 对准确地设计高频电路将非常重要。文献 中有一些 Fig．1 Crosssection structureofcolumnviahole 通孔电感的理论计算公式或数值方法L2．3J，计算 比