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高性能和高密度大电流POL设计的终极解决方案 作者：国际整流器公司（IR ），公司电源部，营销经理，Ramesh Balasubramaniam 所有的电子产品都像我们这个世界一样正在不断缩小。随着电路功能和集成度的提高， PCB板的空间变得弥足珍贵。主要的板空间要分配给应用的内核功能，这些应用包括微处 理器、FPGA 、ASIC 以及与其相关的高速数据通道和支持元件。并不想，但是电源却必 须压缩到剩下的有限空间之内。功能和密度的增加，耗电也相应增加。这就为电源设计者 带来了一个很大的挑战：即如何以更小的占位提供更高的电源？ 答案非常简单：提高效率并同时提高开关频率。实际上，由于更高的效率和更高开关频率 之间被认为是逆向发展的，所以有一个更困难的问题需要解决。 图1: IR3847 5x6 mm QFN封装 为了满足这些差异性的目标需求，IR公司已经开发了IR3847负载点同步降压转换器，平 衡发展了三个领域的创新，即IC封装、IC开关稳压器电路设计和高效MOSFET。由于最 新的热增强型封装采用铜片，控制器中的创新是针对大于1MHz开关频率的控制器和IR的 最新一代低压功率MOSFET，因此新的器件可以在无散热器的条件下搭载25A的电流及将 2 PCB 的尺寸缩减了70% 。利用IR3847 （图2 ），在一个小至168mm 的面积内，现在可以实 现完整的25A 电源解决方案。 图2: PCB面积的缩减 允许开关频率提高到1MHz或者更高，但仍要采用高输入电压（如12V），这就需要一款 新的专利型模块架构，产生极小的导通时间脉冲。例如，将输出功率从12V转换至1V的 1MHz设计，要求具有83ns的脉冲宽度，这样就可以容许极小的抖动。在这些条件下，标 准的PWM机制通常会产生30-40ns的抖动，对于这些应用而言，这样的抖动时间是没有意 义的。在此解决方案中使用的专利 PWM 调制器仅产生4ns 的抖动，与标准解决方案（图 3 ）相比，缩减了90% 。这就实现了双赢，即将输出电压纹波降低约30%的同时，允许 1MHz或更高的频率/更高宽度的操作，实现了更小的尺寸、更好的瞬态响应并采用了更少 量的输出电容。 图3: 抖动比较 新器件集成了基准功率MOSFET ，从而为具有15A-25A的应用取得市场领先的电子性能， 其峰值效率高于96% 。为了达到无与伦比的散热性能，例如，在提供25A 的电流时，温度 仅仅上升50°C的低值，采用了公司独有的封装（图4 ）。同步MOSFET转换到“源极在 下”配置，同时控制MOSFET却保持着传统的“漏极在下”配置。大多数的热量是在同步 MOSFET源中产生的，并且立即传导出封装，并降至底平面，而不是像竞争解决方案那 样，是要经过硅芯片。这就有助于从控制MOSFET 中传热同时降低MOSFET 间开关结点之 间连接的电阻。 图4: 专利型封装，将热传导和电子传导最大化 ® o o 作为第三代SupIRBuck 中的一员，这些器件符合工业市场中-40 C至125 C 的工作结温要 求。它可能针对单输入电压（5V-21V ）操作进行配置，或者当提供5V 的外部偏压时，将 输入功率从1V转换至21V 。此器件具有后部封装高精度死区时间微调功能，将效率损耗降 至最低，而且内部智能LDO可以实现整个负载范围上的效率优化。真正的差分远程检测 对于大电流应用（图5 ）至关重要，在25°C至105°C的温度范围上，实现0.5% 的基准电压 精度，输入前向和超低抖动相结合，可以实现整个线压、负载和温度上高于3% 的整体输 出电压精度。其它高级特性还包括外部时钟同步、定序、追踪、输出电压容限、预偏压启 动性能、实现输入电压感知、可调节OVP引脚和内部软启动。此器件还具有采用专业检 测引脚（VSNS ）的真正的输出电压检测。这就提供了一个强劲的解决方案，可以保证在 所有条件下都可以对输出电压进行监测，特别是出现反馈线缆断开的情况，否则，就会导 致在传统竞争产品出现的严重的过压问题。 图5：真的差分远程检测 除此之外，还要关注对于布局的简化，并使设计更加强劲以免受噪声的干扰。例如，通过 对引脚输出进行优化，实现对于旁通电容器实现简易的布置，并通过三线引脚，选择电流 限度，这样就降低了对于芯片的噪声注入并节省了电容器，最终简化了布