基于氮化镓特征的高效功率放大器拓扑设计.pdfVIP

第9卷 第 5期 信 息 与 电 子 工 程 Vo1．9，No．5 2011年 10月 INF0RMAT10NAND ELECTRONICENGINEERING 0ct．．2011 文章编号 ：1672．2892(2011)05-0569—05 基于氮化镓特征的高效功率放大器拓扑设计 雷 奇 ，何松柏 ，董 磊 ，游 飞 f电子科技大学 集成电路与系统系 ，四川 成都 610054) 摘 要：基于对功率三极管实际输出端特性的考虑，提 出一种易实现的高效率功放拓扑结构， 并通过负载控制理论进行更贴合实际的理论分析。基于CREE公司GaNHEMTCGH40010仿真，在 输入为 25dBm，偏置为 28V，带宽在 2．98GHz～3．02GHz时，输出功率高于 38．5dBm，功率附加 效率优于70％，并且在 3GHz时功率附加效率达到 73．4％。在 15V～30V的偏置范围内，漏极效率 达到 70％以上，仿真结果很好地验证 了拓扑的可行性。 关键词：功率放大器；谐波控制；微带；拓扑 ；高效率 中图分类号 ：TN8 文献标识码 ：A Atopologyofhigh—efficiencypoweramplifierbasedon GANHEMTdevicecharacteristics LEIQi，HESong．Bai，DONGLei，YOUFei (IntegratedCircuitsandSystemsDepartment，UESTC，ChengduSichuan610054，China) Abstract：Thispaperpresentsonehighefficiencymireostriptopologybasedonthedevicecharacteristic ofpowertransistorandanalyzesitaccordingtoloadcontroltheorytomakeequationsmorepractica1．The simulationbasedonGaNHEMT(Gallium-NitrogenHighElectronMobilityTransistor)，ICGH40010ofCREE companyshowsthattheoutputpowercanreachhigherhtan38．5dBm，andPowerAddingEfficiencybetter than70％ under28Vofbiasvoltageand25dBmofpowerdriveinthebandwidthof2．98GHz-3．02GHz．At 3GHz．thePAE reachesthemaximum of73．4％．Thedrainefficiencyachieveshigherthan70％ atbias voltageof15V-30V．Thefeasibilityofthetopologyisdemonstrated． Keywords：poweramplifier；harmonic—control；microstrip；topology；highefficiency 在现代通信系统 中，要求功放能够工作在高效率 、高线性状态 ，并且谐波分量小。为了增加功放效率 ，应用 开关 F类功放技术成为一种可能的趋势。此类功放工作于饱和状态 ，线性很差 ，故不能直接运用于传统的WCDMA 等非恒包络发射机系统中，此类功放常运用于高级发射机系统中，比如 Doherty，LINC(LINearamplificationusing nonlinearComponent)．,EER(EnvelopeEliminationandRestoration)等系统 ，并伴随着数字预失真等线性技术I1J。F 类功放工作频率可以相对较高，其在第四代移动及其他高频率领