第二章ASIC与PLD.pptVIP

第二章 ASIC 与 PLD ASIC的优越性 集成电路的基本知识 § 集成电路的发展方向 § 半导体器件的基本生产过程 光刻工艺 MOS管制作过程 MOS管制作过程 N阱COMS § 2.3 PLD 的基本结构 § 2.4 CPLD 的结构和特点 § 2.5 FPGA 的结构和特点 § 2.6 在系统编程与边界扫描测试技术 § 2.7 PLD 产品概述 Xilinx公司的PLD § 2.8 PLD 的发展趋势 * § 2.1 概述 ASIC（Application Specific Integrated Circuits）: 即专用集成电路，它是面向特定用户、具 有专门用途的芯片，并以此区别于通用芯片。 缩小体积，减轻重量，降低功耗。 提高可靠性。用ASIC进行系统集成后，外部连线减少，可靠性明显提高。 易于获得高性能。ASIC针对专门的用途二设计，容易获得更高的性能。 增强保密性。ASIC芯片相当于一个“黑匣子”，可以起到保护设计这只是产权的作用。 在大批量生产时，可使整个系统的成本降至最低。 § 集成电路的分类 数字集成电路 模拟集成电路 数膜混合集成电路 按用途分类 小规模集成电路 10门以下 SSI 中规模集成电路 10—100门 MSI 大规模集成电路 100—5000门 LSI 超大规模集成电路 5000门以上 VLSI 按规模分类 双极性型集成电路 TTL MOS集成电路CMOS、nMOS、pMOS GaAs集成电路 标准通用集成电路 专用集成电路 ASIC 按生产工艺分类 按生产形式分类 1、大规模集成电路正向集成系统发展（SOC） System On Chip 2、通用集成电路向专用集成电路发展 （ASIC） 3、设计、制造、测试等方面的自动化程度越来越高 （EDA） 4、高速度、高频率、大功率、低功耗、耐高压的集成 电路是重要的发展方向 1、氧化层生成 氧化：是在硅片表面生成一层二氧化硅（SiO2）膜 的过程。 2、热扩散 半导体材料中的扩散是杂质原子从材料表面向内部的运动。 （1）预淀积：在靠近材料表面的地方形成高浓度的 杂质区。 （2）在扩散：在预淀积之后进行，将杂质推入半导 体内部。 3、离子注入：将某种杂质的离子用电场加速到高速度 后，嵌入半导体材料之中。 4、淀积：在硅片上淀积各种材料的薄膜。 5、刻蚀：去除无保护层的表面材料过程。 光刻：值将掩模版或计算机数据库中存放的图像复 制到硅片的整个过程。 1、将感光胶涂在硅片表面上。 2、前烘干：使表面上的溶剂挥发。 3、显影（曝光）：在紫外光下，利用掩模版，对硅片 曝光，然后再选择性的除去光刻胶。 4、后烘干：使保留的光刻胶有更好的附着能力。 衬底 氧化层 光刻胶 掩模版 紫外光 衬底 氧化层 光刻胶 P杂 P杂 P杂 N杂 N+ N+ N+ P+ P+ PLD按照集成度可以分为简单PLD和高密度PLD。 简单PLD结构原理 输入缓冲电路 或 阵 列 与 阵 列 输出缓冲电路 输入 输出 I/O控制块 I/O控制块 I/O控制块 I/O控制块 LAB LAB LAB LAB PIA 宏模块 宏模块 宏模块 宏模块 I/O引脚 图为MAX7000的内部结构 大多数EPLD和CPLD器件中至少包含了三种结构： 可编程逻辑宏单元、可编程I/O单元和可编程内部连线 上图中包含了5个部分： 逻辑阵列块（LAB）； 宏单元； 扩展乘积项； 可编程连线阵列（PIA）； I/O控制块。 CLB CLB CLB CLB CLB CLB 可编程开关矩阵 互连资源 可编程输入/输出模块 图为FLEX10K内部结构 大多数FPGA器件一般有三种可编程电路和一个用于存放编程数据的SRAM组成。三个可编程电路为： 可编程逻辑块 CLB （Configurable Logic Block）； 输入输出模块 IOB（I/O Block）； 可编程互连资源 IR（Interconnect Resource）。 ISP（ In-System Pro