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N G S D UDS UGSVp UGD=VP时 P P 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID UGS HOME UGS 0 ID IDSS VP 3.特性曲线 转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 HOME 输出特性曲线 UDS 0 ID IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电压 某一VGS下 HOME 予夹断曲线 UGS=0V -2V -1V -3V -4V -5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 ID U DS 0 HOME * * 6.4 6.4.1 绝缘栅极型场效应管 6.4.2 场效应管的伏安特性主要参数 6.4.3 结型场效应管 场效应管是利用电场效应来控制电流大小，与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。 结型场效应管JFET. 绝缘栅型场效应管MOS; 场效应管有两种: 引言： HOME §6.4.1 绝缘栅型场效应管的结构和符号 一.增强型MOS管结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 HOME N P P G S D G S D P 沟道增强型 HOME N 沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导电沟道 G S D 二、 耗尽型MOS管结构与电路符号 HOME P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 HOME 三、MOS管的工作原理 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间总有一个反接的PN结 ID=0 对应截止区 HOME P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSVGS(Th)）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 VT称为阈值电压 HOME UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS HOME P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 HOME P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID UDS增加，UGD=VGS(Th) 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 HOME B VGS=const VDS iD VGS-VGS(TH) 预夹断后，夹断点向源极方向移动，沟道的长度略有减小，相应的沟道电阻略有减小，结果漏极电路稍有增大。 HOME 在集成电路中，许多MOS管都制作在同一衬底上，为了保证衬底与源、漏区之间的PN结反偏，衬底必须接在电路的最低电位上。 衬底效应 若某些MOS管的源极不能处在电路的最低电位上，则其源极与衬底极不能相连，其间就会作用着负值的电压VUS,在负值衬底电压VUS作用下，P型硅衬底中的空间电荷区将向衬底底部扩展，空间电荷区中的负离子数增多。 可见， VUS和VGS一样，也具有对ID的控制作用，故又称衬底电极为背栅极，不过它的控制作用远比VGS小。 实际上， VUS对ID的影响集中反映在对VGS(th)的影响上。 VUS向负值方向增大， VGS(th)也就相应增大。因而，在VGS一定时， ID就减小。 但是由于VGS不变，即栅极上的正电荷量不变，因而反型层中的自由电子数就必然减小，从而引起沟道电阻增大，ID减小。 HOME 6.4.2 场效应管的伏安特性及主要参数 ID U DS 0 UGS0 NMOS输出特性曲线 非饱和区 饱和区 截止区 1.增强型特性曲线 HOME 0 ID UGS VT NMOS转移特性曲线 HOME 2.耗尽型特性曲线： 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT HOME 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 HOME （1）直流参数 （2）交流参数 （3）极限参数 二.主要参数 HOME 1.结构及符号 6.4.3 结型场效应管 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 导电沟道 HOME S源极 N P P G(栅极) D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S HOME S源极 P N N G(栅极) D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S HOME 2.工作原理（以N沟道为例） UDS=0V时 N G S D UDS=0 UGS N N P P ID PN结反偏，|UGS|越大则耗尽区