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第二节 单晶材料的制备 第二章 材料制备化学 单晶材料的制备 1．前言 多晶体含有晶粒晶界，人们利用多晶来研究材料性能时在很多情况下得到的不是材料本身的性能而是晶界的性能，有的性能必须用单晶来研究。 如半导体的电导率，对杂质特别敏感，杂质易偏析在晶界上，所以需要晶体，又因天然晶体远不能满足需要，晶体材料的制备是关键所在。 晶体生长可以在固体、液体、气体中发生。在某一系统内，现存的唯一组分就是要结晶的材料，只含少量杂质或有意加入的低浓度掺杂元素，这种条件下生长单晶称为单组分结晶；系统中杂质浓度或掺杂量很高，要结晶的材料溶解在溶剂内或借助化学反应形成，晶体生长发生在除要形成晶体的组分外还有一个或几个组分的系统中，称为多组分结晶。 2．晶体生长热力学： 晶体生长热力学是在生长非常接近于平衡态下，预测生长量、以及成分随温度、压力和实验中其它变数而改变的情况。一般的晶体生长多半是使物质从液态（溶、熔）变为固态，成为单晶体。这就牵涉到热力学中相平衡和相变的问题。 3．晶体生长动力学： 主要是阐明在不同生长条件下的晶体生长机制以及晶体生长速率与生长驱动力间的规律。包括： 晶体生长形态学：晶体生长形态与生长速率间的关系，晶体生长的理想形态和实际形态，环境相对晶体形态影响。研究晶体生长形态学有助于人们认识晶体生长的动力学过程。 晶体生长的输运过程：包括热量、