pn结 半导体物理_第七.pptVIP

第七章 PN 结本章学习要点：1. 了解PN结的结构及空间电荷区的概念；2. 掌握零偏状态下PN结的特性，包括内建电势、内  建电场以及空间电荷区宽度等；3. 掌握反偏状态下PN结的空间电荷区宽度、内建电  场以及PN结电容特性；4. 了解非均匀掺杂PN结的特性； §7.1 PN结的基本结构1. PN结的基本结构PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。 2. 制造PN结的方法：（1）外延方法：突变PN结；（2）扩散方法：缓变PN结；（3）离子注入方法：介于突变结与缓变结之间； 为简单起见，首先讨论突变结。 理想突变结： P型区和N型区分别均匀掺杂 ?? P型区掺杂浓度为Na ?? N型区掺杂浓度为Nd 冶金结是面积足够大的平面 3. PN结空间电荷区的形成 两种材料接触形成PN结时，冶金结两侧将出现载流子密度差，形成可动载流子的扩散流：?? * 电子离开N型区向P型区扩散，在N型区留下带正电荷的施主离子。?? * 空穴离开P型区向N型区扩散，在P型区留下带负电荷的受主离子。 空间电荷区及内建电场的形成过程示意图 达到平衡状态的PN结能带图具有统一的费米能级 §7.2