SiO2Si001表在Er相关纳米结构及其光致发光性质的研究.pdf

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摘要………………………………………………………………………………………………………………I Abstract………………………………………………………………………………………………………….II 第一章引言……………………………………………………………………………l §1.1课题研究背景…………………………………………………………………………l §1.2掺铒硅基材料的发光………………………………………………………………。1 §1.2.1铒的发光原理………………………………………………………………………….1 §1.2.2掺铒硅的发光机理……………………………………………………………………2 §1.2.3提高掺铒硅发光效率的有效途径……………………………………………………4 §1.3缺陷发光……………………………………………………………………………。4 §1.4本工作的研究意义及论文内容简介…………………………………………………5 第二章样品的制备和表征手段………………………………………………………7 §2.1样品的制备…………………………………………………………………………。7 §2.1.1超高真空STM/AFM系统…………………………………………………………….7 §2.1.2生长源…………………………………………………………………………………8 §2.1.3样品的准备……………………………………………………………………………8 §2.2表征手段……………………………………...………………………………………9 §2.2.1扫描隧道显微镜………………………………………………………………………。9 §2.2.2光致发光谱的测量系统…………………………………………………………….12 §2.3铒相关纳米结构的制备及表征方法………………………………………………..13 §3.1引言………………………………………………………………………………….14 §3.2超薄二氧化硅膜的制备及其性质………………………………………………….14 §3.3铒相关纳米结构在Si02/Si(001)表面的形成………………………………………16 8 §3.4讨论……………………………………………………………………………………………………………..1 9 §3.5小结………………………………………………………………………………….1 §4.1硅衬底的光致发光性质…………………………………………………………….20 §4.2铒相关纳米结构的PL谱随测量温度的变化……………………………………..20 §4.2.1低温下的PL谱……………………………………………………………………。20 PL谱随温度的变化关系…………………………………………………………….22 §4.2.2 §4.2.4结果讨论……………………………………………………………………………….27 目录 後旦大擎硕士学位论文 §4.3小结……………………………………………………………………………………………………………一28 工作总结与展望……………………………………………………………………一29 参考文献……………………………………………………………………………。30 jl|【谢…………………………………………………………………………………………………………….34 /煳靴 摘要 由于硅基发光材料在光电子集成中的潜在的应用价值,波长在1.5p,m的硅 基发光材料的研究引起了人们的广泛关注。然而,随着日益增长的信息传输需求, 人们的需求不再仅限于传统意义上的1.5llm光纤通讯信息传输窗口。当今全波 光纤通讯已经实现了1.280 p,m到1.625岬宽波段、低耗的信息传输。为了实现 与

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