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摘要………………………………………………………………………………………………………………I
Abstract………………………………………………………………………………………………………….II
第一章引言……………………………………………………………………………l
§1.1课题研究背景…………………………………………………………………………l
§1.2掺铒硅基材料的发光………………………………………………………………。1
§1.2.1铒的发光原理………………………………………………………………………….1
§1.2.2掺铒硅的发光机理……………………………………………………………………2
§1.2.3提高掺铒硅发光效率的有效途径……………………………………………………4
§1.3缺陷发光……………………………………………………………………………。4
§1.4本工作的研究意义及论文内容简介…………………………………………………5
第二章样品的制备和表征手段………………………………………………………7
§2.1样品的制备…………………………………………………………………………。7
§2.1.1超高真空STM/AFM系统…………………………………………………………….7
§2.1.2生长源…………………………………………………………………………………8
§2.1.3样品的准备……………………………………………………………………………8
§2.2表征手段……………………………………...………………………………………9
§2.2.1扫描隧道显微镜………………………………………………………………………。9
§2.2.2光致发光谱的测量系统…………………………………………………………….12
§2.3铒相关纳米结构的制备及表征方法………………………………………………..13
§3.1引言………………………………………………………………………………….14
§3.2超薄二氧化硅膜的制备及其性质………………………………………………….14
§3.3铒相关纳米结构在Si02/Si(001)表面的形成………………………………………16
8
§3.4讨论……………………………………………………………………………………………………………..1
9
§3.5小结………………………………………………………………………………….1
§4.1硅衬底的光致发光性质…………………………………………………………….20
§4.2铒相关纳米结构的PL谱随测量温度的变化……………………………………..20
§4.2.1低温下的PL谱……………………………………………………………………。20
PL谱随温度的变化关系…………………………………………………………….22
§4.2.2
§4.2.4结果讨论……………………………………………………………………………….27
目录 後旦大擎硕士学位论文
§4.3小结……………………………………………………………………………………………………………一28
工作总结与展望……………………………………………………………………一29
参考文献……………………………………………………………………………。30
jl|【谢…………………………………………………………………………………………………………….34
/煳靴
摘要
由于硅基发光材料在光电子集成中的潜在的应用价值,波长在1.5p,m的硅
基发光材料的研究引起了人们的广泛关注。然而,随着日益增长的信息传输需求,
人们的需求不再仅限于传统意义上的1.5llm光纤通讯信息传输窗口。当今全波
光纤通讯已经实现了1.280
p,m到1.625岬宽波段、低耗的信息传输。为了实现
与
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