Bi2212单晶生长及其磁通钉扎研究.pdf

摘 要 摘 要 Bi2212单晶生长及其磁通钉扎研究 赵 兵 (凝聚态物理) 指导教师:杜家驹 研究员 孙玉平 研究员 木论文首先概要地综述了近年来高温超导体混合态磁通运动和磁通钉扎方 而的研究进展，认为高温超导体层状晶体结构和高的超导转变温度是导致其混 合态性质丰富多彩的主要根源。 绍了Bi2Sr2CaCu,O，单晶生长的主要方法和影 III-]Bi2212单晶磁通钉扎行为的 种要素。Bi2212超导体具有强烈的电磁各向 异性和小的相千长度，是典型的准二维超导材料，其涡旋动力学行为相当复杂。 由于Bi2212和它同系的(Bi,Pb)2223是目前唯一能制成电缆的高温超导材料， 因此，对Bi2212磁通动力学行为的研究不仅具有理论价值，而且具有实用价值 ‘ 本论文以Bi2212单晶为研究对象，系统研究了Mg0粒子掺杂和Pb掺杂 对其磁通钉扎行为的影响。木论文的最终目的是探索提高Bi系超导体在高温高 场下的磁通钉扎能力的途径。 论文第二章详细介绍了采用 Bi,O、做自助熔剂生长 Bi2212单晶的工艺方 法。通过测量Bi2212单晶在磁场 (H//c)下的电阻转变展宽，研究了ab面内 的耗散机制。怜验观察到H-0.06T时，在R-T曲线的低电阻部分(?1/10000R) 出现标志涡旋点阵熔化的电阻陡升的台阶。实验结果表明在低电阻区 ( 0.01R)，电阻转变满足热激活形式:R=Roexp[-U(H,T)/k0T]o 我们首次发现在Bi2212体系中，当磁场高于OAT时，磁通蠕动激活能满 足U(H,T)=Uo(1-T/Tp)(1nHo1nH)的关系，用二维涡旋体系的刃位错对模型可以定 量地解释，说明高场下涡旋液态区，涡旋具有二维特性。在H0.08T的低场区， 激活能满足U(H,T)=Uo(1-T/To)Ha.41，可根据三维涡旋体系的热激活涡旋范性运 动模型给予合理的解释，说明低场下涡旋液态区，涡旋具有三维特性。造成Bi2212 涡旋液态区高场和低场下不同维度特性的原因是磁场诱导的涡旋维度渡越。 利用磁测量分析了Bi2212单晶在高温和低温区的磁通运动机制，认为在 20K以下，磁通蠕动是线性的单磁通蠕动，而在20K以上，涡旋运动要考虑涡 旋之间的关联，蠕动是集体行为。 综合电磁测量的结果，绘出Bi2212单晶的H-T相图，认为造成20K以 卜 摘 要 不可逆场迅速降低原因是Bi2212强烈的各向异性。要改善Bi2212材料在高温 高场下的输运性能，必须引入有效的磁通钉扎中心，或降低材料的各向异性。 论文第三章介绍了纳米Mg0粒子掺杂对Bi2212磁通钉扎行为的影响。我 们利用自助熔剂法，成功地将纳米Mg0粒子埋入Bi2212单晶基体中。纳米Mg0 掺杂在Bi2212晶体中引入大量的位错缺陷，使Bi2212单晶低温下 (20K)的 磁通钉扎能力显著提高，在温度5K、磁场 1T的情况下，5wt%MgO掺杂量的 单晶临界电流密度达2.6x106A/cm2，较未掺单晶提高了3倍，与Bi2212薄膜的 临界电流密度相当。但是，在H//c时，位错缺陷在Bi2212这种高度各向异性 的材料中所起的钉扎作用从性质上说属于点钉扎，是种弱的钉扎中心，在低温 时显示出强的钉扎能力，但在20K以上的温度，就基本失去了钉扎涡旋的能力。 因此，必须采用其它的途径提高Bi2212高温高场下的磁通钉扎能力。、” 论文第四章研究了Pb掺杂对Bi2212电磁各向异性和磁通钉扎行为的影响。 我们采用自助熔剂法，首次在x=。一。.8的大掺杂量范围内生长出高质量的Biza- ,Pb,Sr2CaCu2O，单晶，并利用电输运方法系统地研究了Bi2,_,,Pb,Sr2CaCu2q单晶 的各向异性，结果表明:Pb掺杂显著地降低面内电阻率Pan和面外电阻率P}，并 且在掺杂量0.2时，P。由半导体行为向金属型行为转变。Pb掺杂显著地降低了 Bi2212的各向异性。分析表明，Pb掺杂降低c方向的电阻率不仅是因为增加了 体系的载流子浓度，而且改善Bi-。层的导电性，从而使(Bi,Pb)2212的电阻各 向异性显著降低。 通过对PbO.PbO.