共振隧穿器件及其应用研究.pdf

摘 要 儿振隧穿器件是基于量子隧穿现象的‘种负阻器件。L它具有响应速度快、 11作频率高、低电压、低功耗和多功能等令人瞩目的优点。虽然在40多年前， Esaki就发明了隧道二极管，1973年他和Tsu又提出了超品格概念，预言了半 导体超品格的负微分电阻现象。但在这期问，UjJ‘半导体晶体管技术的蓬勃发 展，使人们忽略了性能优异的量子隧穿器件4随着超大规模、甚大规模集成电 路的飞速发展，器件线宽的不断减小，最子效应将不可避免地摆到人们而前， t-一代集成电路的重要发展方向之…就是共振隧穿二极管(RTD)。其峰谷问转 用这些特点，RTD可在多态存贮、A／D转换、多值逻辑、分频、倍频等方面得 到广泛的应用。由于RTD器件的快速发展和良好的应用前景，对RTD及其应 用的研究显得越来越迫切。本论文从RTD设计理论、材料设计与制备、器件与 电路的结构和工艺、RTD测试与分析方法、电路模型的建立、RTD及其相关器 (手要成果如下： ＼ 共振隧穿二极管，具有较高的电流峰谷比(PVCR)，室温达到7．6：1：较 好的频率特性，最高振荡频率为54GHz；并系统地总结出有关RTD的设计 理论和实践经验。 2、对RTD的温度效应进行了测量和定性分析，认为其是一种本征效应：对“表 观正电阻”的研究认为它起源于串联电阻对峰值电流和谷值电流影响产生的 电位降之差；总结和研究了RTD开关时l、日J的估算方法。 3、在国内首次研究出使用HP 8510C网络分析仪对RTD最高振荡频率的测试 方法，并通过拟合优化提取了其等效电路参数，计算出其最高振荡频率。 管进行了器件模拟，模拟了其直流特性，能带结构，模拟分析了势垒宽度、 势阱宽度、势垒高度和掺杂浓度对其直流特性的影H向。这蝼结果对优化器件 设计有一定的指导意义。 5、抒!Rf’D具有物理意义的电流，电压方程通过PSPICE的电压控制电流源建立 起随流模型，并以此为基础模拟出了以RTD为驱动器，以电阻本身为负载 的电路双稳态特性。模拟结果与实际数据吻合的很好。建立了用于电路模拟 的RTD交流小信号模犁，片利用PSPICE电路模拟软件着重模拟分析了其 交流特性及其微带振荡器的特性，模拟结果与实验数据吻合的较好，验证了 这种方}太的正确一陛。 进一步模拟了由这种单元电路构成的静态分频器，模拟结果表明了RTD构 成的MOBIL，E甲，i州静念分频器能够很好的实现其电路功能。 成的单元电路所用的材料、结构、版图以及工艺。并采用SILVACO软件对 其中的HEMT进行了器件模拟，模拟结果显示出HEMT的设计是可行的。 8、设计了带栅极RTD(GRTD)的材料、结构、版图及工艺。同时设计了GRTD 构成的神经晶体管的结构、版图及工艺。它的多输入端用多个栅电极体现， 权重值以栅宽或栅面积体现，阈值用驱动管的栅压来控制。 9、／f-次提出并设计出由共振隧穿二极管(RTD)和金属一半导体．金属光探测器 (MSM)组成的单片光电逻辑单元电路。此种高速光电负阻逻辑单元既具 有RTD高频、高速、低电压、低功耗和多功能的特点，又具有MSM光敏 和高速的特点，通过多种组合形式能实现多种光电控制功能。采用SILVACO 软件对其中的MSM进行了器件模拟，模拟结果显示出MSM的设计是可行 的。j 关键词：共振隧穿j二极管(RTD)；器件模拟；电路模拟；高电子迁移率晶体 管(HEMT)；会属一半导体一会属光电探测器(MSM PD)；带栅极的 RTD(GRTD)；RTD神经晶体管：。静态分频器：。单片光电集成-,／ ABSTRACT Resonant DevicesiSakindof differentialresistancedevice Funneling negaUve basedon has meritssuchas quantumtunn