CuPcZnS多层复合薄膜的制备、性能及新型液昌光阀的研究.pdfVIP

摘 要 本文介绍了有机、无机及有机复合光电材料的研究进展，概述了其结构、 光电性能，并列举了几种典型的光电导理论。系统地综述了有机/无机复合薄膜 的结构、光电性能及制备方法，并”几”光电””论进行了详细的阐述。CW机‘ 无机复合薄膜材料不仅具有优越的光电性能，并且相对于有机材料稳定性有很 大的提高，近年来成为材料研究的热点。寿 首次利用真空热蒸发法成功地制备了CuPc/ZnS多层复合薄膨 详细研究 沉积工艺条件对薄膜光电性能的影响规律。卿随着玩积温度的““，薄膜光 电性能先上升后下降。150℃制备的复合膜光电性能最佳，薄膜结构致密、结晶 好、缺陷少。低温时制备的薄膜结晶较差，有序度低，而高温样品中出现了团 聚现象，缺陷多，光电性能差。研究了Cupc层厚度对CuPc/ZnS多层复合薄膜 光电性能的影响规律。发现薄的有机层与较厚的无机层复合可以获得优良的光 电性能。薄的有机层有利于激子迅速迁移到界面离化为电子一空穴对，从而减少 复合，提高光电导性能。但很薄(O.05um)的有机层不利于对光的有效吸收而降 低了光电导性能，而较厚(0.2um)的有机层使载流子在有机层的复合增加，光 电导同样下降。由于空穴扩散层的存在，因此需要有较厚的无机层，才能有利 于载流子的迁移。飞 提出了CuPc/ZnS多层复合薄膜的能带模型及光电导机理妙·CuPc/ZnS多 层复合薄膜中，Cupc层起光生载流子材料作用，而ZnS层为电子传输层。光照 时在 Cupc层内产生激子，其迁移至界面并离化为电子一空穴对，电子进入 ZnS 的导带而空穴留在CUP。层中，电子和空穴分别在无机、有机材料中传输，充 分利用了无机材料高的载流子迁移率、有机材料高的光生载流子的特点，同时 又减少了有机材料高的复合率，提高了材料的光电性能。于 得到了制备光电性能最佳的CuPc/ZnS复合薄膜的沉积工艺参数份·寸底温 度TS1500C,CuPc/ZnS复合膜层数为六层，单层厚度为0.1um,蒸发电流为 IcP}SOA,IZS100A。获得了具有良好光电导性能的薄膜，其光电导性能指标 为在波长X=703nm，照度 I=100LX下，半衰曝光量 S(LX.S)为 100，半衰期 T=, I.Os，其残余电位Vr17V。在照度1=800LX的白光下，半衰曝光量S(LX.S) 为62.5，半衰期T,,2=0,0781s，残余电位V,7V.CuPc/ZnS多层复合光电薄膜 的成功制备为高性能液晶光阀器件研究提供了条件 乌 为了制备高性能的液晶光阀，对 CdTe阻光层材料进行研究。(U;f究了沉积 的衬底温度对薄膜光电性能的影响。发现蹄化锅薄膜的光电导性能在衬底温度 为 150℃时最佳。温度的升高一方面有利于薄膜晶体生长，有利于薄膜中残余 气体的减少，另一方面又会造成被吸附粒子Te的再蒸发及氧化，导致缺陷的增 加和氧化程度的提高。在 150℃制备的磅化锅薄膜结构致密，缺陷浓度小，杂 质少，表现出良好的光电性能。通过对沉积工艺的研究，提出了真空热蒸发法 制备CdTe薄膜可能的沉积过程为，加热时CdTe首先分解为Cd和Te，它们分 别蒸发至基板表面后发生化合反应生成 CdTe，同时部分 Te发生氧化反应生成 \ T O e X O ， ! 少 ABSTRACT Thisthesisshowedtheresultsofthestudyonthepreparationandstructure,compositesand optoelecrtonicpropertiesoforganic,inorganic,organic/inorganicandCdTefilms.Also,the photoconductivitymechanismoforganic/inorganicmultilayerfilmsweresubmitted.With excellentoptoelecrtonicpropertiesandstabiliyt,theorganicrinorganicmultilayerfilmswere receivedmuchattention. Forthefirsttime,CuPc/ZnSmultilayerfilmswerepreparedbyVacuum-Sublimationmethod. Theoptoelectronicpropertieswereenhnaced