高频应用颗粒膜Fe(Co)-Al(Zr)-O系磁性能及巨磁电阻效应研究.pdfVIP

摘要 摘要 巨磁电阻材料在高密度记录读出磁头、磁传感器(霍尔探测器、超微磁场探 测器等)、巨磁电阻随机存储器(MRAM)、无接触磁控元件、自旋晶体管、磁光信 息存储、汽车、数控机床、自动控制系统自动测量、卫星定位、导航系统、家 用电器、商标识别、磁性丌关等方面有着广阔的应用前景。出于高频应用的考 虑，本论文研究了Fe—M一0中Fe(Co)-A1(Zr)-0系列颗粒薄膜TMR材料。 本论文共分为六章，工作主要内容为： 综述了巨磁电阻效应各种体系与研究中的现状与问题。采用玻璃和Si(100) 等做基板，利用射频磁控溅射法制备了系列Fe(Co)一A1(Zr)一0颗粒薄膜样品， 并对其在真空中于不同温度下进行了退火处理，样品的表面形貌和微观结构经 4000 过透射电子显微镜(TEM)(JEOLEX)、选区电子衍射(SAD)和X射线衍射 (Rigaku 线光电子能谱(XPS)分析。磁性质和磁电阻性质分别使用振动样品磁强计、磁 导计等和标准直流四探针方法运行测量。从结构与工艺危度研究探讨了磁性与 磁电阻性能问题，对于材料设计与应用提出了新的结构与性能理念，即通过材 料性能的研究术选择结构与工艺，这种初步探索对材料的应用和新的材料测 量与设计观念的构建很有裨益。 研究了溅射输入功率剥‘Fe—Al—O膜磁性等性能的影响。以溅射输入功率4．9 kG(Guass)，有 W／cm：沉积获得的纳米晶Fe刚．Al㈦O圳膜饱和磁化(4兀Ms)为19．6 效磁导率u洲在100 于高密度记录磁头。 薄膜中，只有含Al的薄膜中在有限的0：流量比的范围内有软磁性；在＼基薄膜中， 不只含A1的薄膜有软磁性，而且含Si的薄膜也有软磁性，而且N浓度可以在较 宽的范围内变化，大于O基的薄膜。O含量在30—50at．％的Co惦A1。；一0薄膜中可观 at．％ 察到清晰的颗粒状结构，粒子尺寸的分布相对比较窄，观察到0含量超过50 的簿脱中包含氧化物4：日。在0和N系统Co一(N或O)薄膜中p值的不同，可以 归于它们形貌特征的不同和两个系统的晶粒间组成不同。观察到Co—A1—0颗 0．一A1一(N或0) 粒膜的电阻率随0：流量比的增加有两个增加阶段。呈现软磁性的C 摘要 薄膜完全出沿(111)择优取向的fcc相组成，这时的各向异性能最低。结果显 示Co—AI一0软磁性薄膜高的P SDBs和H。值有利于改善u-fnl；J应特性。另外一 种有效改良u—f111jJ应特性的方法是热处理。 到FeCoA]0薄膜晶粒具有形状各向异性，晶粒的长轴方向和短轴方向长度分别 nm一30 Fin]和5nm一15 为15 nm不等。B—H曲线上得到的难轴各向异性场H。。约为 200e。难轴矫顽力Hc。小于1Oe，倾斜角在±3度。这说明FeCoAIO溅射膜在 基片上磁各向异性的离散性很低，均匀性好。用直径为3nm的电子束进行X射 线能量散射谱(EDS)分析，FeCoAlO溅射颗粒膜磁性各向异性不是起因于磁性颗 粒之间的各向异性耦合，起因于形状各向异性。300。C退火后FeCoAIO溅射颗粒 GHz 膜软磁性能无退化现象。FeCoAIO溅射膜的频率响应曲线证实从10MHz到l 复磁导率实部“’大于i000，抗腐蚀性能好，好的温度稳定性使其能够经受磁 头制作处理工艺，可适用于高密度存储上的高速写磁头。 (Fe仉荫Co．．：鬲)㈨Zr。0：；颗粒膜退火后由谢乐公式计算可以看到与(Fem幅Co．，．：晴)。。0． 膜相比应力释放较小。这是由于(Fe饥∞Com％)!坩0．膜沉积时氧化物颗粒溶解在Q 释放出内应力。而对(Fe仉∞Com娟)Ⅲ，Zr。O：：膜，锆原子吸引Q—F