氮化硅薄膜的光吸收及光致发光性质研究.pdfVIP

摘要 氮化硅薄膜是一种多功能材料，在许多领域有着广泛的运用：在微电子材料及器 件生产中，氮化硅作为钝化膜、绝缘层和扩散掩膜；在硅基太阳能电池中，氮化硅用 作钝化膜和减反射膜：在硅基发光材料中作为硅纳米团簇的包埋母体等等。 本文在系统综述氮化硅薄膜的性质、应用及多种制备方法的基础上，应用射频磁 控溅射系统，以氩气和氮气为气源，控制氩气流量为16sccm，溅射功率为IOOW，衬 底温度为100C下分别在硅衬底和玻璃衬底上，在不同氮气流量下制备了氮化硅薄 膜，研究了氮气流量对氮化硅薄膜性质的影响。通过红外光吸收(FTIR)分析，x射线 发谱(PLE)等多种检测手段，对薄膜材料的微观结构和光学特性进行了表征和分析， 结果如下： (1)Ar／N2比对氮化硅薄膜特性有显著的影响，薄膜的光学带隙随Ar／N：的增加而 减小，在可见光范围内薄膜样品具有很高的透过性。 (2)在a-SiN。薄膜的透射谱中出现了基本吸收区，吸收边出现了类似于非晶硅 的次带吸收，并将此结果归因于硅颗粒表面的硅悬键。 (3)在可见光范围内薄膜有很好的光致发光性质。在381rim波长光的激发下，SiN。 薄膜的主要发光峰位位于520nm(2．38eV)，553nm(2．24eY)，573nm(2．16eV)， 并用此模型解释了氮化硅薄膜光致发光的原理。 关键词：射频磁控溅射；氮化硅薄膜；光学带隙；光致发光 Abstract thin Asakindofmufti。functionalmaterials，Siliconnitridefilmis usedin widely themanufactureofmicroelectronicmaterialsand nitride fields．In devices，silicon many anddiffusionmask．Inthe thinfilmisusedas film，insulation fabrication passivating layer ofsolar nitridethinfilmisusedas filmand film．In cell，silicon passivatinganti-reflecting the ofluminescentmaterialbasedon nitrideisusedasembed production silicon，silicon matrixofsiliconnanometerclusters． Inthe and methodsofsiliconnitride paper,theproperties，applicationspreparation used filmswereovctviewed．RFreaction was to magnetronsputteringDeposition prepare in as nitridethin siliconnitridethinfilmsour and N2 source，silicon