硅单晶中氮扩散的研究.pdfVIP

摘 要 妊是目前研究得最成熟、应用得最广泛的半导体材料，超过95％的半导体器 件是在硅片上制作的。随着大规模集成电路(VLSl)和超大规模集成电路的发 展，生产无微缺陷单晶、合理地控制硅中的杂质含量，要求材料工作者们更深入 地研究硅中杂质的性质，不断改进硅单晶的制备技术和器件制造技术以适应集成 电路的发展要求。 含氮直拉硅单晶具有成本低、碳含量低、微缺陷少、机械强度高等优点，近 几十年来引起了研究者们的关注，成为新的研究热点。再者，在器件制造过程中， 氮气常常用作保护气体。研究氮在硅中的行为一氮在硅中如何扩散、氮如何影响 硅片的电学性能、氮对氧沉淀的作用等等，有助于加深对硅中杂质缺陷本质问题 、 的认识，不仅必要而且重要。) 本论文结合含氮直拉硅单晶与非含氮直拉硅单晶的红外光谱图、二次离子质 谱图对氮的外扩散、内扩散问题进行了研究。研究发现，硅中的氮在高温时以 N—N对的形式发生内扩散，N-N对的浓度分布满足余误差函数分布，且扩散速率 比Nozaki等的报道值高3～4个数量级，并给出了～种可能的解释。 通过比较和分析含氮直拉硅单晶与非含氮直拉硅单晶的多步热退火行为，认 为硅片在氮气氛下高温退火，存在着两种相互竞争的机制：一种是施主态空位的 生成；一种是高温扩散进入硅中的氮会抑制空位的生成，或与空位结合形成N．N． 、 空位复合体。这两种机制影响硅片电阻率的变化。，户 本论文还采用高温一低温一高温三步热退火工艺，固定第二步和第三步的热 退火温度及时间，变化第一步热处理温度及时间，首次比较系统地对硅片在氮气 ／ 氛和氩气氛下退火的内吸杂行为进行了研究。研究发现，第一步高温遇火氧发生 ＼ 外扩散，外扩散时间越长，洁净区越宽。头部氧含量与尾部氧含量不同的硅片， 经过相同的三步内吸杂工艺，洁净区宽度基本无变化，这说明一定范围的氧浓度 对洁净区宽度无影响。在氮气氛下退火，第一步高温退火时，氮促进氧成核与氧 的外扩散两种机制共存。我们运用理论知识结合实验数据对上述结果进行了合理 ＼ 的解释。， 关键词：硅氮、扩散热处理… Abstract at isthe and utilizedsemiconductor Silicon widely present， investigated deeply the onsilicon．With devicesarefabricated 95 semiconductor morethan percent Scale Scale of ULSI(UltraLarge VLSI(VeryLarge Integration)and development needto siliconandcontrolthe singlecryst