MWECR CVD制备aSiH薄膜的沉积速率研究和红外分析.pdf

摘要 摘要 非晶硅(a—si)与晶态硅的结构差异，使非晶硅具有特殊的光学、电学性质， 并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态(主要缺陷态是 悬挂键)，使其在实际应用方面受到了约束。对于氢化非晶硅(a-Si：H)，由于氢 通过无连接端的硅原子键合来消除缺陷，使得氢化非晶硅的缺陷密度比未氢化 的非晶硅大大降低了，从而使氢化非晶硅符合器件级质量材料的要求。a—Si：H薄 膜已经广泛应用于太阳能电池，而且作为薄膜场效应管在电子摄像，计算机记 忆，平板显示器等领域的应用也有很大进展。但是a．Si：H的沉积速率和品质很 大程度上受到制备工艺的影响。为了获得高速沉积下的商品质a-si：H薄膜，使 其能够产业化，微波电子回旋共振化学气相沉积(MwEcRcVD)方法在国际上受 CVD方法具有电子和离子产生率高等优点，人 到了人们广泛的重视。MWECR 们期望它能在较高的沉积速率下获得器件级质量的a．si：H薄膜。因此，我们用 MWECR CvD系统在不同的工艺条件下沉积了a．Si：H薄膜。 影响a．si：H薄膜沉积速率的机制非常复杂，这些机制与制备工艺条件有着 密切的联系。我们研究了工作气压、siH4气体流量和衬底温度等工艺条件与a-si：H 薄膜沉积速率的关系。同时为了获得高沉积速率、大面积均匀的小Si：H薄膜， 我们改变等离子体的磁场位形为磁镜磁场。研究了磁镜磁场对薄膜沉积速率及 均匀性的影响，并且在实验中得到了商沉积速率、大面积均匀的a-Si：H薄膜。 段，对于微波等离子体化学气相沉积(MwECRCVD)方法在不同H：／SiH。稀释比 下制备出的氢化非晶硅薄膜，我们通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分 析，得出了薄膜中的氢含量，硅氢键合方式及其组分，并分析了这些参数随H：／siH。 稀释比变化的规律。 CVD，红外透射谱，沉积速率，氢含量 关键词：a．Si：H，MWECR Abstract Abstract Thedifferencebetween arllo咄ous silicon(a-Si)andcrystalsilicon(c—Si)on a-Sihas and electronic ithad structure，made characteristics．So specialoptical huge of therearea of lot application．But band)inmorphous prospect def色cts(dangling have To its been1imited silicon silicon，therefore application amorphous hydmgenated much has IessdefectsmaIl mesal(eof (a—Si：H)，howeVer，it a—Si，for