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中文翻译： 移 动 通 信 滤 波 器 技 术 移动通信产业惊人的成长速度超出人们的想象，促进了全固态化滤 波器的飞速发展。全固态化的无源滤波器主要包括晶体滤波器、陶瓷滤波器、SAW滤波器、介质滤波器等。 1、新型功能材料促进滤波器件发展  本世纪30～40年代，随着固体物理学、电介质物理学等学科理论的新进展，人们对石英、钛酸钡、钛酸铅、锆酸铅等晶体材料的压电与铁电性能的研究与认识水平达到新的深度，这就为利用晶体或多晶复合体陶瓷材 料的压电性制备谐振器奠定了理论基础。晶体谐振器可等效为L、C构成的谐振器，进而组装成为分离元件式的晶体滤波器。此后，还出现了单晶体滤波器(MCF)，有效地缩小了器件的体积。1985年英国物现学家瑞利发现 声表面波(SAW)。1965年用于激励和检测SAW的叉指换能器(IDT)技术的 突破，为SAW器件的发展开辟了道路。早期SAW滤波器适用频段在10MHz～ 1GHz。主要应用对象是广播、电视的中频滤波，在光纤与微波通信及频谱分析仪等高频／微波领域的应用发展较慢。  随着移动通信产业和技术和迅猛发展，晶体滤波器、陶瓷滤波器、SAW滤波器首先在移动通信基站和终端的中频滤波中得到应用。第二级中频 (465kH)采用压电陶瓷滤波器，第一级中频(45～150MHz)可采用MCF或 SAW滤波器。受晶体基片厚度限制，传统MCF的工作频率上限仅为 50MHz，采用各向异性腐蚀和光刻技术加工的高频基波(HFF)MCF已将频 率上限提高到150MHz。经实验室探讨提高至300MHz是可能的，并且具有 小型化和低插损优势。而 SAW滤波器曾一度取代MCF，但在300MHz以下品种的小型化遇到困难。随着PHS1900、PDC1500移动电话出现将第一 级中频提高至257～400MHz的新趋势，具有更大机电耦合系数且温度特性 良好的新型晶体基片材料 LiB4O7的开发成功，使得中频SAW滤波器可实 现3 8×3 8(mm)小型化尺寸规格。因此，在第二级中频应用领域MCF和 SAW滤波器将长期共存。  较早开发成功的的高频／微波滤波器当数介质滤波器。它是用微波陶 瓷介质按照TE01δ 、TM010、TEM等模式要求制成圆柱、圆环、同轴等形 状的介质谐振器，在按微波网络传输原理用电容集总参数或分布参数耦合 而成。70年代微波介质材料取得实质性进展，美日等国先后研制出 BaTi4O9、Ba2Ti9O20、(Zr，Sn)TiO4系中低频(0.8～8GHz)微波介质材料用 于制造雷达、导航、微波通信、无线电发身基站的谐振器、振荡器、滤波器等微波器件。8年代由于卫星通信与卫星电视技术的发展促进，日本松下 公司、日本村田公司、美国贝尔实验室、日本东京工业大学等率先开发出 Ba(Zn，Nb，Ta)O4、Ba(Zn，Ta)O4、Ba(Mg，Ta)O4等复合钙钛矿系矿系微波介质材料，使用频率上限高达18GHz。随着电子对抗、军用通信与导航等国防军事设施的需求进一步推动微波介质材料和微波器件设计、工艺 的改进与提高，使用上述材料已能研制在30～90GHz使用的毫米波滤波 器。  模拟制式和早期GSM、PDC蜂窝移动电话的工作频段大多在800～ 900MHz。对于微波介质材料的基本要求是具有高介电常数和稳定的温度 特性。具有接近零温度系数，介电常数高达70～92的含稀土类Re2O3－ BaO－TiO2系材料成为主流品种。这是因为微波在介质体内传播的波长λ 与它在自由空间传播波长λO和介质电常数 ε 之间有如下关系：。ε r越 大，谐振器尺寸越小，制成的滤波器体积也就越小。然而，尽管该系统是微波介质材料中介电常数最高的门类之一，制成的介质滤波器性能优良 、价格 低廉，但在小型化方面仍不令人满意。 与此同时，对LC滤波器高频化技术的探索也从未停止。村田公司在 1984年～1989年先后突破印刷铜导体线圈与低温共烧介质材料系统等技 术难题。采用无铁氧体印刷电极电感线圈和与之匹 配的在1000℃以下烧 结的低介电系数BAS、BSSZ、CZG介质系统，可在高频段获得高Q值和高稳定的低电感与低电容值，小型紧凑的多层结构可减少寄生参数，同时 通过调制层微调电容量和改进线圈设计等方法克服L、C离散获得稳定的 谐振频率。从而使片式多层LC滤波器在高频／微波段也能占据一席之 地。第一代品种外形尺寸稍大为 8. 0×5. 0(mm)，很快减小为5.7×5.0(mm)、4.5× 3.2(mm)，即片式元件标准规格2220、1812。此外，传统螺旋滤波器实现片 式化后也还有少量的市场份额。2、新型片式高频／微波滤波器在移动通信中的应用  近年来，随着移动电话进一步小型轻便化和高频化，PDC(1.5GHz