第 1 章.2二极管.ppt

3）低电压稳压电路 ②非线性部分——指数特性 静态工作点 Q ？ （２）交流信号的图解 静态分析 v i = 0 VI = 0 叠加原理 动态分析 线性电路方程 直流负载线斜率？ 为何要设立静态工作点Q ? D导通的条件 分析思路 若D正向导通，则？ 若D反向截止，则相当于开路 正向导通分析方法： 图解法 等效电路（模型）法 —— 将非线性 ? 线性 二极管的用途： 整流、检波、限幅、箝位、开关、 元器件保护、温度补偿等。 应用电路举例 2CP1（硅）， IF = 1mA， VBR = 40V。求VD、ID。 例1.1 二极管状态判断方法 假设D截止(开路)求D两端开路电压 二极管状态判断 正偏 D正向导通！ 反偏：D反向截止 ID = 0 VD = -10V 反偏： D反向击穿 普通：热击穿－损坏 VD = - VBR = -40V 齐纳：电击穿 电路如下图所示，判断D的状态 例1.2 解： 假设D截止(开路)， 与假设不符，故二极管导通 此时D两端的开路电压为 试判断图题中二极管导通还是截止，为什么? 例1.3 解： 假设D截止(开路)，此时等效电路为 此时D两端的开路电压为 与假设不符，故二极管导通 电路如图，求：VAB 例1.4 若忽略二极管正向压降，二极管VD2可看作短路，UAB = 0 V ，VD1截止。 解： 取 B 点作参考点 V2 阳电压高→VD2导通。 试画出 u o 波形。 已知： 二极管是理想的 例1.5 解： D导通，可看作短路 例1.6 已知VDD=10V ，求VD、ID。 解： VDD=10V 时 （1）理想开关模型 （2）恒压降模型 （3）折线模型 如图所示。试画出输出波形。 例1.7 | vi |0.7V时→ D1、D2有一个导通， 所以v o =0.7V |vi |0.7V时→ D1、D2截止， 所以v o=vi 分析方法小结——恒压降模型 假设D截止（开路）求D两端开路电压 1.3.2 半导体二极管电路的分析方法 1. 图解法 （１）静态工作点的图解 联立求解，可得VD、ID 图解法 直线与伏安特性的交点 根据电路原理，两者端电压和电流相等 两线交点Q为静态工作点，对应的IQ为静态电流， VQ为静态电压。 图解法关键——画直线 ①线性部分—— 直流负载线 * 1.2.5 二极管结构及主要参数 半导体二极管: 将PN结引出电极，加上封装构成 正极（阳极） 负极（阴极） N P 二极管符号 按结构分类 点接触型 面接触型 平面型 1. 二极管的结构 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路 (2) 面接触型二极管 PN结面积大， 用于工频大电流整流电路 (3) 平面型二极管 PN 结面积可大可小， 用于集成电路制造工艺、高频整流和开关电路中 (1) 最大整流电流 IF (2) 反向击穿电压 VBR 和 最大反向工作电压 VRM 2. 二极管的主要参数 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。 为安全计，在实际工作时，一般: VRM = 1/2 VBR (3) 反向电流 IR 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。 硅二极管的反向电流一般在纳安(n A)级； 锗二极管在微安(?A)级。 (4) 正向压降VF 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 (6) 极间电容C j (5) 动态电阻 rd 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。 rd 与工作电流的大小有关 即 PN结处于反向击穿状态时，通过的电流变化很大，而反偏端电压几乎不变，这样一种特性，被用来制成稳压二极管。 3. 稳压二极管 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。 稳压二极管的伏安特性曲线 (1) 稳定电压VZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 (2) 动态电阻r Z —— 概念与一般二极管的动态电阻相同 稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。 (3) 最大耗散功率PZM 稳压管的最大功率 损耗取决于PN结的 面积和散热等条件。 反向工作时PN结的功率损耗 PZ = VZ IZ 由 PZM 和VZ可以决定 I Z max (4) 最大稳定工作电流 IZ max 和最小稳定工作电流 IZ min 稳压管的最大稳定 工作