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§ 1.3 可编程逻辑器件的设计 第二章 集成电路的基本知识 § 2.2 集成电路的发展方向 § 2.3 半导体器件的基本生产过程 光刻工艺 MOS管制作过程 MOS管制作过程 N阱COMS * 一、基本设计方法 1、自下而上的设计方法（Bottom Up） 特征： （1）采用通用的逻辑元器件 （2）在系统硬件设计的后期进行仿真和调试 （3）主要设计文件是电路原理图 2、自上而下的设计方法（Top Down） 特征： （1）电路设计更趋合理 （2）采用系统早期仿真 （3）降低了硬件电路设计难度 （4）主要设计文件是用HDL语言编写的源程序 二、设计流程 系统定义 系统划分 数字部分设计 仿真 判断 综合 仿真 布局布线 参数提取与反标注 后仿真 样片制造 测试 真实器件资料 真实器件布图资料 样片 § 2.1 集成电路的分类 数字集成电路 模拟集成电路 数膜混合集成电路 按用途分类 小规模集成电路 10门以下 SSI 中规模集成电路 10—100门 MSI 大规模集成电路 100—5000门 LSI 超大规模集成电路 5000门以上 VLSI 按规模分类 双极性型集成电路 TTL MOS集成电路CMOS、nMOS、pMOS GaAs集成电路 标准通用集成电路 专用集成电路 ASIC 按生产工艺分类 按生产形式分类 1、大规模集成电路正向集成系统发展（SOC） System On Chip 2、通用集成电路向专用集成电路发展 （ASIC） 3、设计、制造、测试等方面的自动化程度越来越高 （EDA） 4、高速度、高频率、大功率、低功耗、耐高压的集成 电路是重要的发展方向 1、氧化层生成 氧化：是在硅片表面生成一层二氧化硅（SiO2）膜 的过程。 2、热扩散 半导体材料中的扩散是杂质原子从材料表面向内部的运动。 （1）预淀积：在靠近材料表面的地方形成高浓度的 杂质区。 （2）在扩散：在预淀积之后进行，将杂质推入半导 体内部。 3、离子注入：将某种杂质的离子用电场加速到高速度 后，嵌入半导体材料之中。 4、淀积：在硅片上淀积各种材料的薄膜。 5、刻蚀：去除无保护层的表面材料过程。 光刻：值将掩模版或计算机数据库中存放的图像复 制到硅片的整个过程。 1、将感光胶涂在硅片表面上。 2、前烘干：使表面上的溶剂挥发。 3、显影（曝光）：在紫外光下，利用掩模版，对硅片 曝光，然后再选择性的除去光刻胶。 4、后烘干：使保留的光刻胶有更好的附着能力。 衬底 氧化层 光刻胶 掩模版 紫外光 衬底 氧化层 光刻胶 P杂 P杂 *