缺氧La06Ca04MnO3δSi薄膜和异质结光电特性.pdfVIP

摘 要 钙钛矿结构锰氧化物因其特殊的电学和磁学性质而得到了广泛的研究。自旋、电 荷、晶格和轨道自由度的相互耦合使其对磁场、电场和光场等非常敏感。由于在光电 器件中的巨大应用潜力，对于钙钛矿锰氧化物光致效应的研究具有重要意义。 本论文使用脉冲激光沉积(PLD) 方法，在Si 片上制备了缺氧的La0.6Ca0.4MnO3-δ (LCMO)薄膜。分别采用波长为532nm的连续波激光和脉冲激光研究了LCMO/Si薄膜和 异质结的光电特性；并通过制备带有厚度梯度的LCMO薄膜，研究了膜厚对LCMO/Si 薄膜和异质结的光电特性的影响。研究发现，缺氧的LCMO薄膜受到连续波激光辐照 2 时电阻会发生几个数量级的变化，在激光功率密度为142mW/cm 时，其在室温下的光 电导变化率可达到95.9% 。而在脉冲宽度为7ns 的脉冲激光辐照时，其瞬态光电导变化 的响应时间最快可达20ns 。实验中还发现其响应时间和光电流都受到激光功率密度和 所施加电场强度的影响。 在室温下施加反向偏压时，LCMO/Si异质结中同样观察到巨大的光电导率变化。 2 当反向偏压为-1.5V 以及激光功率密度为142mW/cm 时，光电导变化率达到了90% ；而 实验参数相同，施加正向偏压时，光电导率变化则不明显，当激光功率密度相同以及 正向偏压为1.5V时，光电导变化率仅为10%左右。实验还发现LCMO/Si异质结中的响应 时间和光电流都受到激光功率密度影响。在异质结中同时还观察到了响应时间约13ns 的光生电压信号。 当存在厚度梯度时，在LCMO薄膜中观察到类似p-n结的整流特性和奇特的光生电 压信号，实验证实膜厚对LCMO/Si薄膜和异质结的光电特性有显著影响。由于氧缺陷 的存在，LCMO/Si异质结具有很高的光生电压灵敏度。 本论文中的研究结果在新型光电器件等领域具有极大的应用潜力。 关键词：瞬态光电导; 光生电压; 钙钛矿薄膜; 异质结; 氧缺陷 I Abstract Perovskite-type hole-doped manganites have stimulated much attention due to their exotic magnetic and electronic properties. The interaction of spin, charge, lattice and/or orbital leads to giant responses to small external stimuli, such as magnetic field, electric field and light. The sensitivity of transport to light stimuli promises to open up attractive applications in new optoelectronic devices. In this thesis, oxygen-deficient La0.6Ca0.4MnO3-δ (LCMO) thin films and LCMO films with thickness gradient are grown on Si substrates by pulsed laser deposition (PLD). Both continuous wave (cw) laser and pulse laser with the identical wavelength of 532nm (2.3eV) are used to investigate the optoelectronic characteristics of LCMO/Si films and heterojun