2(zm)光电探测器的物理基础47014.ppt

光电探测与信号处理 2.1 半导体物理基础 2. 2 光电效应和热电效应 一．光电效应 内光电效应： 被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。 外光电效应 被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象. 1.内光电效应 （2）光生伏特效应 （3) 光子牵引效应 （4）光磁电效应 2.外光电效应－光电发射效应 二．热电效应 电阻温度效应 温差电效应 热释电效应 （1）电阻温度效应 原理：当吸收光辐射而温度升高时，金属的电阻会增加，而半导体材料的电阻会降低。从材料电阻变化可测定被吸收的光辐射功率。 利用材料的电阻变化制成的热探测器就是电阻测辐射热计。材料的电阻与温度的关系可用材料的电阻温度系数αT来表征。 实验研究发现，材料温度从T改变到了T+ΔT，材料的阻值改变量ΔR只与材料的阻值R及温度改变量ΔT 成正比，即： ΔR=αTRΔT 当ΔT足够小时，则有： dR = αT RdT 由此得到电阻温度系数αT ： 电阻温度系数αT与材料的种类和温度有关，是描述测辐射热器材料的电阻值对温度变化灵敏程度的基本参数。当温度变化时，αT值越大，其电阻阻值变化就越大；αT值越小，其电阻阻值变化就越小。在室温下金属材料的αT约为0.0033。半导体材料的αT值约为-0.033；比金属材料的αT值大一个数量级。 （2）温差电效应 第一效应：塞贝克效应（seebeck ）：当由两种不同的导体或半导体组成闭合回路的两个结点置于不同温度(两结点间的温差为ΔT)时．在两点之间就产生一个电动势；这个电动势在闭合回路中引起连续电流，这种现象称为塞贝克效应。其中产生的电动势称为温差电动势或塞贝克电动势，（ 1821年，德国物理学家塞贝克 ）。 第二效应：帕尔贴效应（peltire ）：两种不同的导体构成闭合回路，当回路中存在直流电流时，两个接头之间将产生温差，两个接头处分别发生了吸放热现象。帕尔帖效应可以视为塞贝克效应的反效应。 第三效应：汤姆逊效应：电流通过具有温度梯度的均匀导体时，导体将吸收或放出热量。这就是汤姆逊效应。 ? ?? ?由于不同的金属材料所具有的自由电子密度不同，当两种不同的金属导体接触时，在接触面上就会发生电子扩散。电子的扩散速率与两导体的电子密度有关并和接触区的温度成正比。 ?? ?设导体A和B的自由电子密度为NA和NB，且有NA＞NB，电子扩散的结果使导体A失去电子而带正电，导体B则因获得电子而带负电，在接触面形成电场。这个电场阻碍了电子继续扩散，达到动态平衡时，在接触区形成一个稳定的电位差，即接触电势。 （3） 热释电效应 热释电效应 某些晶体，如硫酸三甘肽(TGS)、铌酸锂(LiNbO3)、铌酸锶钡(SBN)等晶体，受光照射时温度升高，从而在晶体的特定方向上由于自发极化随温度变化而引起表面电荷的变化。这种现象称为热释电效应。 当强度调制过的光辐射投射到热释电晶体上时，引起自发电极化强度随时间的变化，结果在垂直于极化方向的晶体两个外表面之间出现微小变化的信号电压，由此可测定所吸收的光辐射功率。 温度变化时，极化强度发生变化。温度升高时，自发极化强度变小。当温度等于某一特定温度Tc时，极化晶体的极化强度为零，此时晶体发生相变，此时称Tc为居里温度。 对热释电探测器，希望Tc越高越好。 2.3 光辐射与度量 电磁波谱的频率范围很宽，涵盖了由宇宙射线到无线电波（102～1025Hz）的宽阔频域。光辐射仅仅是电磁波谱中的一小部分，它包括的波长区域从几纳米到几毫米，即10-9～10-3m（ 0.001~1000μm ）的范围。在这个范围内，只有0.38～0.78μm的光才能引起人眼的视觉感，故称这部分光为可见光。 在光学中，用来定量地描述辐射能强度的量有两类： 一类是物理的——辐射度量（0.001~1000μm ），是用能量单位描述光辐射能的客观物理量； 另一类是生理的——光度量（0.38~0.78μm ），是描述光辐射能为平均人眼接受所引起的视觉刺激大小的强度．即光度量是具有标准人眼视觉特性的人眼所接收到辐射量的度量，为主观量； 因此，辐射度量和光度量两者在研究方法和概念上非常类似，它们的基本物理量也是一一对应的。只是光度量只在光谱的可见波段(380—780nm)才有意义。为避免混淆，辐射度量加下标“e” （emission），光度量加下标“v”（visual）。 一、与光源有关的辐射度参数与光度参数 1．辐（射）能和光能 辐（射）能：以辐射形式发射、传播或接收的能量，用符号Qe表示，