2.2半导体单晶硅的缺陷.pptVIP

2.2 半导体单晶硅的缺陷 半导体晶体缺陷的分类： 1、微观缺陷（点缺陷、位错、层错、微缺陷等） 2、宏观缺陷（双晶、星型结构、杂质析出、漩涡结构等） 3、晶格的点阵应变和表面机械损伤 2.2.1 微观缺陷 一、点缺陷 点缺陷的概念：由于晶体中空位、填隙原子及杂质原子的存在，引起晶格周期性的破坏，发生在一个或几个晶格常数的限度范围内，这类缺陷统称为点缺陷。 按其对理想晶格的偏离的几何位置及成分来划分：空位、填隙原子、外来杂质原子和复合体（络合体）等。 图 2-3-1 空位缺陷 空位存在的形式： 1）晶体由在冷却到室温的过程中，空位来不及扩散直接被“冻结”在体内。 2)与杂质原子形成络合体。 3）双空位。 4)凝聚成团而塌蹦形成位错圈。 图 2-3-2 弗仑克尔缺陷 2、填隙原子：晶体中的原子由于热运动或辐射离开平衡位置跑到晶格的空隙中，这样的原子称为填隙原子。如图所示： 3、复合缺陷（络合体) 杂质原子与空位相结合形成的复合体。 如：空位-磷原子对（E中心） 空位-氧原子对 （A中心） 这些络合体具有电活性，因此会影响半导体的载流子浓度。 4、杂质原子（外来原子）：由外来原子进入晶体而产生的缺陷。杂质原子又分为间隙式和置换式原子。如图所示： 硅中的杂质氧、碳以及重金属都可能以两种方式存在，并与硅结合成键，如氧与硅形成Si-O-Si键。 二、线缺陷：周期性的破坏局域在线附近, 一般指位错 。位错主要有刃位错、螺旋位错以及混合位错。如图所示为位错的示意图： 1、刃位错：刃位错的构成象似一把刀劈柴似的，把半个原子面夹到完整晶体中，这半个面似刀刃，因而得名。如图所示。 它的特点是：原子只在刃部的一排原子是错排的，位错线垂直于滑移方向。 2、螺旋位错： 当晶体中存在螺位错时，原来的一组晶面就象变成似单个晶面组成的螺旋阶梯。 它的特点：位错线和位移方向平行，螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少，故它也是包含几个原子宽度的线缺陷 。 3、混合位错： 除了上面介绍的两种基本型位错外，还有一种形式更为普遍的位错，其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度，这种位错称为混合位错。如图3.4所示: 硅单晶的准刃型位错：在金刚石结构中一种位错线与柏格斯矢量成60度角的位错，具有刃型位错的特点，因此成为准刃型位错。如图所示： 5、位错中柏格斯矢量的判断：如图所示，利用右手螺旋定则沿基矢走，形成一个闭合回路，所有矢量的和即为柏格斯矢量。 6、位错的滑滑移与攀移 （1）位错的滑移：指位错线在滑移面沿滑移方向运动。其特点：位错线运动方向与柏格斯矢量平行。如图所示： 硅单晶的滑移体系：{111}晶面和110晶向族 滑移方向：取原子距离最小的晶列方向，对于硅而言，110晶向族的距离最小，因此为位错的滑移方向。共有12个方向，如图所示: 滑移面：滑移面一般取面密度大，面间距大的晶面，硅晶体的滑移面为{111}晶面族，所示如图： （2）位错的攀移：位错线垂直于滑移向量的运动，他是由于在一定温度下，晶体中存在空位和填隙原子，在热运动的作用下，移动位错线，引起半平面的变大或变小。分为正攀移和负攀移。 b)正攀移：由于吸收空位而使位错向上攀移,半原子平面缩短. （111）晶面 （110）晶面 （100）晶面 7、位错的显示：如图所示，通过化学腐蚀法显示晶体的位错，不同的晶面上缺陷的腐蚀坑不同。如图所示： (a)本征层错 （b)非本征层错 三、堆垛层错：晶体密堆积结构中正常的排列秩序发生了错误的排列。分本征层错和非本征层错,如图所示： （111）面单晶硅中的层错 四、杂质沉淀 硅的生产和加工过程中，很容易引入各种杂质，如直拉硅中氧、碳以及各种重金属杂质（Cu、Fe、Ni、Na等），他们在高温环境下在硅中的溶解度很高，但在低温及室温条件下，其溶解度大大下降，多余的杂质都以沉淀的形式析出。如：SiO2、Cu3Si、Fe3Si 沉淀尺寸的大小可以用电子显微镜或电子探针进行观察和分析。如图所示为金属杂质沉淀呈枝蔓状析出。 2.2.2 宏观缺陷 一、小角晶界 1、晶界：多晶体中各晶粒的位向不同，晶粒之间的界面称为晶界。 2、小角晶界：单晶中存在晶向角度差极小的两个区域，通常称为亚晶粒，因此他们之间的界面称为亚晶界，也成为小角晶界。如图所示： D -位错间距离 - 柏格斯矢量θ-晶向角度差 通常用化学腐蚀法显示小角晶界上的位错，其特点是：顶与底相连排成列。如图所示为(111)晶面上的腐蚀坑 二、位错排：