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发光二极管（LED） 主要内容 发光二极管的背景介绍 发光二极管的原理和特性参数 发光二极管应用 简介 发光二极管（ Light Emitting Diode，LED ）也叫做注入型电致发光器件。它是一种能把电能直接转化为光能的特殊半导体器件。它除了具有普通二极管的正向特性外，还具有普通二极管没有的发光能力。 组成材料及分类 普通单色发光二极管 高亮度发光二极管（GaAlAs）等材料 ) 超高亮度发光二极管(发光强度100Mcd ) 变色发光二极管(能变换发光颜色 ) 闪烁发光二极管（由CMOS和LED组成的特殊器件 ） 电压控制型发光二极管（可以工作在3伏－10伏 ） 红外发光二极管（电能直接转换成红外光 ） LED优缺点 寿命长（＞100，000Hrs） 驱动电压低（1.8～4.5V） 响应速度快（时间常数为10-7～10-9S ） 尺寸小 多种色彩 耐震性特佳（全固体封装，不易破损） LED的辉度高 绿色无污染 缺点：成本贵，需要恒流驱动,散热不好容易光衰, 发光角度有限制，受环境温度影响 工作原理 发光二极管是利用正向偏置PN结中电子与空穴的辐射复合发光的，是自发辐射发光，不需要光学谐振腔，发射的是非相干光。 1、发光二极管的伏安特性曲线 2、LED发光光谱 4、发光强度（角度） LED发光强度是表征它在某个方向上的发光强弱，由于LED在不同的空间角度光强相差很多，随之而来我们研究了LED的光强分布特性。这个参数实际意义很大，直接影响到LED显示装置的最小观察角度。 5、温度特性 波长与温度关系式λp=λ0（T0）+△Tg×0.1nm/℃ 每当结温升高10℃，则波长向长波漂移1nm，且发光的均匀性、一致性变差。温度上升，亮度下降，当LED消耗功率大，则结温上升，输出亮度下降，所以减小功耗，改良散热条件很重要。 6、LED的驱动 LED的应用 指示灯 LED照明前景展望 LED是一种很有前途的照明光源，虽然目前受到技术水平和价格的限制，尚无法在照明领域中与传统的光源抗衡，但是其发展的潜力十分巨大。随着技术的进步，LED必将在照明领域中充分发挥其节能高效的特点，从而获得越来越广泛的 应用。 * * 发光二极管主要是由Ⅲ-Ⅴ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，能造出红橙黄蓝等多种颜色，峰值波长范围255~1670nm，其核心是PN结。 铝砷化镓(AlGaAs)-红色及红外线 铝磷化镓(AlGaP)-绿色 磷化铝铟镓(AlGaInP)-高亮度的橘红色，橙色 磷砷化镓(GaAsP)-红色，橘红色，黄色 磷化镓(GaP)-红色，黄色，绿色 氮化镓(GaN)-绿色，翠绿色，蓝色 铟氮化镓(InGaN)-近紫外线，蓝绿色，蓝色 碳化硅(SiC)(用作衬底)-蓝色 硅(Si)(用作衬底)-蓝色(开发中) 蓝宝石(Al2O3)(用作衬底)-蓝色 钻石(C)-紫外线 LED辐射光的波长跟其制作材料的禁带宽度Eg有关，即 Eg=E2 - E1 = hv λ≈1.24/Eg（um） 当给发光二极管加上正向偏压后，能量较大的电子或空穴分别注入到P区或N区，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，同时以光的形式辐射多余的能量而发光，产生自发辐射的荧光。 原理：PN结施加正向偏压时，能量较大的电子或空穴越过势垒分别流入到P区或N区，然后同P区的空穴或N区的电子复合 如图所示，在电动势的作用下，电子对从能量高的能级跳跃到能量低的空穴，根据能量守恒，多余的能量以光和热的形式释放出。 表示发光二极管性能的参数有电学方面的，也有光学方面的，最基本的是发光二极管的电流-电压特性。曲线形状和普通半导体二极管差不多，电压值很低时，几乎没有电流；在正向特性一边，电压超过1V或1.5V左右时，电流迅速上升，显示出欧姆导通特性，这个电压值称为开启点。开启点电压的大小决定于半导体材料。对于GaAs是1.0V；GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs大致是1.5V；发红光的GP是1.8V，发绿光的GaP是2.0V。反向击穿电压一般在-5V以上 　　LED的光谱分布与制备所用化合物半导体种类、性质及PN结结构（外延层厚度、掺杂杂质）等有关，而与器件的几何形状、封装方式无关。 3、发光效率 发光效率就是光通量与电功率之比。发光效率代表了光源的节能特性，这是衡量现代光源性能的一个重要指标。 它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流 ,IF为LED的一般工作电流 . LED显示屏 数码管 照明 *