7、模拟电子技术设计性实验.pptVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
模拟电子技术实验 主 编 谭海曙 副主编 于昕梅 谢海鸿 李 萍 范 迪 参 编 曹继华 谢凤英 李 晶 滕升华 白培瑞 张琳琳 王琼琛 主 审 章毓晋 编 李 磊 张 军 第7章 模拟电子技术设计性实验 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 实验7-2 多级负反馈放大电路的设计 实验7-3 模拟运算电路设计 实验7-4 有源滤波器设计 实验7-5 直流稳压电源设计 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 一、实验目的 (1) 掌握单级阻容耦合晶体管放大电路的设计方法。 (2) 掌握晶体管放大电路静态工作点的设置与调整方法。 (3) 熟悉测量放大电路的方法,了解共射极电路的特性及放大电路动态性能对电路的影响。 (4) 学习放大电路的安装与调试技术。 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 二、预习要求 (1) 根据设计任务和已知条件,确定电路方案。 (2) 按设计任务与要求设计电路图。 (3) 对设计电路中的有关元器件进行参数计算和选择。 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 三、设计任务与要求 1.设计任务 设计一个能够稳定静态工作点的单级阻容耦合晶体管放大电路。 已知以下条件。 (1) 电压放大倍数:A≥30。 (2) 工作频率范围:20Hz~200kHz。 (3) 电源电压:VCC = +12V。 (4) 负载电阻:RL = 2k?。 (5) 输入信号:Ui = 10mV(有效值)。 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 2.设计要求 (1) 根据设计任务和已知条件,确定电路方案,计算并选取电路各元件参数。 (2) 静态工作点设置合理,电路不失真。 (3) 电压增益Au等主要性能指标满足设计要求。 (4) 电路稳定,无故障。 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 四、设计原理与参考电路 1.放大电路的组成原则 (1) 放大电路的核心元件是有源元件,即晶体管或场效应管。 (2) 正确的直流电源电压数值、极性与其他电路参数应保证晶体管工作在放大区、场效应管工作在恒流区,即建立起合适的静态工作点,保证电路不失真。 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 (3) 输入信号应能够有效地作用于有源元件的输入回路,即晶体管的b-e回路,场效应管的g-s回路;输出信号能够作用于负载之上。 设计电路可参考图7.1。 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 2.晶体管放大电路的设计方法 1) 选择电路形式 (1) 单管放大电路有三种可能的接法:共射、共基、共集。其中以共发射极放大电路应用最广。 (2) 根据稳定性、经济性的要求,最常用的是工作点稳定的电路,即分压式偏置电路。 (3) 采用什么反馈方式,主要根据负载的要求及信号内阻的情况来考虑。如果输入电阻较小,可采用串联反馈方式,以增加输入电阻。对于单管放大电路常采用电流反馈,这样电路比较简单。 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 2) 选择静态工作点 晶体管正常工作状态的确定,应综合以下因素加以考虑。 (1) 晶体管工作在放大区。 (2) 为节省电源耗电,Q点应选在小电流、低电压处。 (3) IC和UCE不宜太小,以免失真。 各级静态工作点一般选择在下列范围:IC = 1~3mA,UCE =2~5V。 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 3) 元件参数的选择 一般工程设计时,硅管取I1= (5~10)IB,UB= (3~5)V;锗管取I1= (10~20)IB,UB= (1~3)V;IC= (1~3)mA。 (1) 确定电阻Re。 电阻Re 可以选取为 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 (2) 确定偏置电阻Rb2、Rb1。 电阻Rb1、Rb2可由下面关系式得到 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 (3) 选择集电极电阻Rc。 选择集电极电阻Rc应考虑两方面的问题,一是要满足Au的要求,即 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 (4) 耦合电容C1、C2和射极旁路电容Ce的选择。 耦合电容C1、C2和射极旁路电容Ce决定放大电路的下限频率fL,如果放大器的下限频率f?L已知,可按下列表达式估算耦合电容C1、C2和射极旁路电容Ce 实验7-1 单级阻容耦合晶体管放大电路的设计 五、实验内容及步骤 (1) 按设计任务与要求设计具体电路。 (2) 根据已知条件及性能指标要求,确定元器件(晶体管可以选择硅管或锗管)型号,设置静态工作点,计算电路元件参数(以上两步要求在实验前完成)。 (3) 在实验板上安装电路。检查实验电路接线无误之后接通

文档评论(0)

天马行空 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档