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１.１ 半导体基础知识 一、知识回顾 １.１ 半导体基础知识 （一）、半导体 １、物质的分类 １、物质的分类 导 体：导电性能很强，电阻率很小。 （二）、掺杂半导体 １、Ｎ型半导体： １、N型半导体 ２、P 型半导体 （三）、ＰＮ结 １、ＰＮ结的形成； １、ＰＮ结的形成 ２、ＰＮ结的单向导电性 PN 结加反向电压（反向偏置） ３、ＰＮ结的电流方程 常温下，即Ｔ=300Ｋ时，ＵＴ≈26mＶ。 ４、ＰＮ结的伏安特性 正向特性 ５、ＰＮ结的电容效应 PN结的结电容Ｃj=Ｃb+Ｃd (1) 势垒电容CB (2) 扩散电容CD 扩散电容CD 四、课堂小结 １、半导体的基本知识； ２、PN结的单向导电性； ３、 PN结的伏安特性。 五、布置作业： １、思考题：简述PN结的单向导电性 ２、预习下次课的内容（P18） 1.2　半导体二极管 * １、半导体的知识； ２、掺质半导体； ３、ＰＮ结的单向导电性； ４、ＰＮ结的伏安特性。 重点： １、信号 ２、电信号 ３、电子信息系统 ４、Multisim 10 软件介绍 （一）、半导体 （二）、掺杂半导体 （三）、ＰＮ结 　　将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体。 ３、本征半导体 热敏性、光敏性、掺杂性。 ２、独特性能： 导体、绝缘体、半导体。 （按导电性能）： 如：硅、锗及一些金属氧化物。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间 的那些物质。 如：惰性气体、氦、氖等 高分子物质：橡胶、塑料、玻璃等； 陶瓷、云母等。 绝缘体：即使外加很高的电压，也几乎没 有电流通过。 （按导电性能） 如：铁、铝、铜、银、金等。 ２、半导体的独特性能 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 现代电子学中，用的最多的半导体是硅(Si)、和锗(Ge) ，和砷化镓(GaAs)等，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 3、本征半导体 硅原子结构示意图 锗原子 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 图 1 – 1 硅和锗简化原子 结构模型 图 1 – 2 本征半导体共价键晶体结构示意图 共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量, 其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子, 同时必然在共价键中留下空位, 称为空穴。空穴带正电, 如图 1-３所示。 图 1 – 3 本征半导体中的自由电子和空穴 动画 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 掺入微量三价元素： 如：硼、铝、镓等； ２、Ｐ型半导体： 掺入微量五价元素： 如：磷、砷、锑等 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 动画 N型半导体 多余电子 磷原子 硅原子 + N型硅表示 Si P Si Si 图 1 - 4 N型半导体共价键结构 N型半导体 在本征半导体中, 掺入微量５价元素, 如磷、砷、锑等, 则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 动画 空穴 P型半导体 硼原子 P型硅表示 Si Si Si B 硅原子 空穴被认为带一个单位的正电荷，并且可以移动 P型半导体 在本征半导体中, 掺入微量３价元素, 如硼、镓、铟等, 则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。 图 1 – 5 P型半导体的共价键结