微机电系统第三章MEMS制造技术-.pptVIP

第三章 MEMS制造技术 3.1 集成电路基本制造技术 3.2 体微加工技术 3.3 表面微加工技术 3.4 其他微加工技术 3.2 体微加工技术 简介 MEMS光刻 体微加工技术 集成电路工艺回顾 平面工艺 图形转移－光刻 添加工艺 热氧化 物理气相淀积 化学气相淀积 外延 去除工艺 湿刻蚀 干刻蚀 掺杂 离子注入 扩散 典型MEMS器件 1 典型MEMS制造方法简介 MEMS技术起源于集成电路技术，但是集成电路技术已经远远不能满足MEMS发展的需要 典型MEMS制造方法 体微加工(Bulk micromachining) 湿法刻蚀 (Wet Etching ) 干法刻蚀 (Dry Etching ) 表面微加工 (Surface micromachining) 集成电路技术 牺牲层技术 (Sacrificial layer ) 键合 (Bonding) LIGA 软光刻技术(Soft Lithography) 典型MEMS制造方法 2 MEMS光刻 深槽光刻 厚胶光刻 双面光刻 深槽光刻 表面微结构 集成电路制造中，表面起伏1-2 μm MEMS制造中，表面带有微结构和深槽，10-100 μm 旋涂问题 聚积 解决方法 喷涂 (Spray coating ) 电镀 (Electroplating) 深槽光刻 曝光问题 鬼影 (Ghost image ) : 入射光反射 大间距