单片机第二章2.pptVIP

第二章  MCS-51单片机的基本结构及工作原理 三、输入/输出端口的结构 1、MCS-51有四个I/O端口：P0、P1、P2和P3。 2．每个端口都是8位准双向口，共占32根引脚。 “准双向”：当I/O口作为输入时，应先向此口锁存器写入“1”， 此时该口引脚浮空，可作高阻抗输入。 3．每一条I/O线都能独立地用作输入或输出。 4．每个端口都包括一个锁存器，一个输出驱动器和输入缓冲器。作输出时数据可以锁存，作输入时数据可以缓冲。 （一）功能 P0口：可作为一般I／O口用，但当应用系统采用外部总线结构时，它分时作低8位地址线和8位双向数据总线用。 P1口：每1位均可独立作为I／O口。 P2口：可作一般I／O口用，当应用系统采用外部总线结构时，它仅能作为高8位地址线。 P3口：双功能口。第一功能使用时同P1口，每1位均可独立作为I／O口。每1位均具有第二功能，两个功能不能同时使用。 CPU在执行“MOV”类输入指令时（如：MOV A，P1），内部产生的操作信号是“读引脚”。 注意：在执行该类输入指令前要先把锁存器写入“1”，使场效应管T2截止，使引脚处于悬浮状态，可作为高阻抗输入。否则，在作为输入方式之前曾向锁存器输出过“0”，则T2导通会使引脚箝位在“0”电平，使输入高电平“1”无法读入。 所以，P1口在作为通用I/O口时，属于准双向口 P0口特点小结（1） 1、 P0作为地址数据总线时，VT1和VT2是一起工作的，构成推挽结构。高电平时， VT1打开， VT2截止；低电平时， VT1截止， VT2打开。这种情况下不用外接上拉电阻。 而且，输出高电平的时候，当VT1打开， VT2截止，因为内部电源直接通过T1输出到P0口线上,因此驱动能力(电流)可以很大，这就是为什么教科书上说可以“驱动8个TTL负载”的原因。 P0口特点小结（1） 2. 做通用数据I/O端口时，输出级上端的FET处于截止状态，为漏级开路电路，若要驱动拉电流负载时，必须接“上拉电阻”，否则不能正确的输出高电平; 其他端口P1、P2、P3在内部直接将VT1换成了上拉电阻，所以不用外接，但内部上拉电阻太大，电流太小，有时因为电流不够，也会再并一个上拉电阻。 3.做通用数据I/O端口时，在输入操作前，为了保证输入正确，必须先向端口“写1”; P0口特点小结（2） 4. “读锁存器” 为引脚改写操作。凡是“读—修改—写” 的操作，CPU读的都是端口锁存器中的数据。 5. 在总线方式时，P0口不能再做通用的I/O端口。它分时输出地址、数据总线的信息（此时引脚不用外接上拉电阻），此时为双向口 6、在某个时刻，P0口上输出的是作为总线的地址数据信号还是作为普通I/O口的电平信号，是依靠多路开关MUX来切换的。而MUX的切换，又是根据单片机指令来区分的。 当指令为外部存储器/IO口读/写时，比如 MOVX A,@DPTR ,MUX是切换到地址/数据总线上； 而当普通MOV传送指令操作p0口时，MUX是切换到内部总线上的。 MOV A, 3FH MOV P0, A P2口在系统使用外部存储器时，做高八位的地址总线。 P2口使用时注意： a) 当应用系统扩展有大于256B而小于64kB的外部存储器，且P2口用于输出高8位地址时，P2口不能再作通用I／O口使用。使用如： MOVX A，@DPTR ；访问外部数据存储器 MOVC A，@A+DPTR ; 访问外部程序存储器 这里使用了16位的寄存器DPTR b) 在不接外部存储器或片外存储器容量小于256字节的系统中，可以使用“MOVX A，＠Ri”类指令访问片外存储器，仅由P0口输出低8位地址，此时P2口可作通用I／O口用。 并行端口在使用时应注意的几个问题 “拉电流”还是“灌电流” 1、 “灌电流”——输出“低电平”来 驱动负载 使用灌电流的方式与电流较大的负载直接连接时, 端口可以吸收约20mA。 2、“拉电流方式”——输出高电平驱动负载。 采用拉电流方式连接负载时，AT89S51所能提供“拉电流”仅仅为80μA，如果我们采用右下图的方式，不足以点亮LED(或很暗)。 当然，不是所有的单片机都是这样，PIC单片机就可以提供30mA的拉电流和灌电流。单对于大多数IC电路，最好还是使用“灌电流”去驱动负载。 拉电流方式驱动负载，要接上拉电阻。 输出高电平，LED亮，电流从电源正——上拉电阻——LED——地。 输出低电平，LED灭，电流从电源正——上拉电阻——P口。 缺点：功耗大。 单片机与继电器等大电流负载的接口 我们知道：AT89S51的端口可以吸收约20mA的电流。对于继电器等大于20