100μm大晶粒多晶硅薄膜的铝诱导法制备.pdfVIP

μ 唐正霞 等 : 100 m 大晶粒多晶硅薄膜的铝诱导法制备 453 μ 100 m 大晶粒多晶硅薄膜的铝诱导法制备 1 1 1 1 1 2 唐正霞 ,沈鸿烈 ,解 　尧 ,鲁林峰 ,江 　枫 ,沈剑沧 ( 1. 南京航空航天大学 材料科学与技术学院 ,江苏 南京 2 100 16 ; 2 . 南京大学 物理学系固体微结构物理国家重点实验室 ,江苏 南京 2 10093) 摘 　要 : 　以 Cor ning Eagle 2000 玻璃为衬底 ,用磁控 用磁控溅射法沉积一定厚度的铝薄膜 ,最后将其置于 溅射法制备了 gla ss/ aSi/ SiO / Al 叠层结构 ,于 A r 气 真空管式炉中 ,通入氩气 ,于 400 ～500 ℃退火一定时 2 ( ) 保护下退火 ,制备了具有很强的 111 择优取向 ,最大 间。最后 ,将样品置于铝标准腐蚀液中腐蚀 15min 以 μ 晶粒尺寸达 100 m 的铝诱导晶化多晶硅薄膜 。研究 去除表面残留的铝 。 ( ) 结果表明 ,非晶硅的氧化时间越长 ,所制备的多晶硅晶 利用 X 射线衍射仪 Br uker D8 A dvance 分析薄 粒尺寸越大 ,当氧化时间达约 47h 后 ,再延长氧化时间 膜样品的晶体结构 ;用光学显微镜分析薄膜的形貌 ;用 ( ) 对薄膜性能的影响不明显 。还发现退火温度越高 , 晶 台阶仪 XP1 测量薄膜厚度 ;用微区激光拉曼光谱仪 粒越小 ,但是反应速率越快 。 ( T64000) 分析薄膜的结晶性能 。 关键词 : 　薄膜 ;多晶硅 ;铝诱导晶化 ;氧化时间 3 　结果与讨论 中图分类号 : 　O484 . 1 ; TB34 文献标识码 :A ( ) 文章编号 :100 1973 1 20 10 3 . 1 　铝诱导多晶硅薄膜的结构分析 图 1 为所制备的多晶硅薄膜的 XRD 图。样品制 1 　引　言 备参数如下 : aSi 薄膜厚度为 180nm , 氧化 时间约 自1999 年 UN SW 大学的 N a st 等人[ 1] 以玻璃为 47h ,铝薄膜厚度约为 35nm ,于 450 ℃退火 5h 。由图 1 θ 衬底制备了Al 诱导多晶硅薄膜后 , 国内外学者对此产