N掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算.pdfVIP

第 34卷 第 4期 青 岛科 技 大 学 学 报 (自然科学版) Vo1．34No．4 2013年 8月 JournalofQingdaoUniversityofScienceandTechnology(NaturalScienceEdition) Aug．2013 文章编号 ：1672—6987(2013)04—0336—06 N掺杂 SiC纳米线的制备、场发射性能及 第一性原理计算 孙莎莎 ，李镇江 ，李伟东 ，齐学礼 (青岛科 技大学 机电工程学 院，山东 青岛 266061) 摘 要：利用简单的化学气相沉积法，首次以固态三聚氰胺 (C。H N。)为N掺杂剂，与 si／ Si02粉体混合 ，在 1250oC下保温 25min，制备 出N掺杂SiC纳米线。采用XRD、SEM、 元素分析等测试手段对产物的物相和微观形貌进行 了表征 ，并对其场发射性 能进行 了研 究，采用基于密度泛函理论 (DFT)的第一性原理对N掺杂前后 SiC纳米线的电子结构进 行了计算。结果表 明：掺 N后的纳米线弯曲程度明显变大，场发射性能显著提高，开启电场 值和阈值 电场值 由原来的3．5V ·I上m 和 6．6V ·m 分别降低为 2．6V ·m 和 5．5V · Fmf。。此外，第一性原理计算表明，掺 N后的纳米线禁带宽度明显变窄，使电子从价带向导带 过渡时需要更少的能量 ，从理论上解释 了N掺杂 SiC纳米线场发射性能增强的原因。 关键词：SiC纳米线；场发射 ；第一性原理 ；密度泛函理论 中图分类号 ：O462．4：O471．5 文献标志码 ：A Preparation，FieldEmissionPropertyandFirst。principle CalculationonElectronicStructureofN_dopedSiC Nanowires SUNSha—sha，LIZhen-jiang，LIWei—dong，QIXue—li (CollegeofElectromechanicalEngineering，QingdaoUniversityofScienceandTechnology，Qingdao266061。China) Abstract：N—dopedSiC nanowireswere firstlypreparated by chemicalvaporreaction method，whichusedsolidmelamine(C3H6N6)astheN dopant，mixingwithSi／SiO2 powdershearting25minatthetemperatureof1250℃ ．Thecrystalstructureandmor— phologyoftheproductswerecharacterizedbyX—raydiffraction (XRD)、scanning elec— tronmicroscopy (SEM )andelementanalysis．Thefieldemission propertyoftheprod— uctswas also tested， and the electronic structures of un—doped and N—doped SiC nanowireswerecalculatedviafirst—principleonthebasisofthedensityfunctionaltheory (DFT)．Resultsshow thatthebendingdegreeoftheN—dopedSiC nanowiresisbigger and it exhibits enhanced field emission activity comparing with the un—doped SiC nanowires，theturn—onfielddecreasedfrom 3．5V ·um— to2．6V ·um— andthresh— oldfiel