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§5-3 面缺陷与体缺陷 一、层错 层错是在密排晶体中原子面的堆垛顺序出现反常所造成的面缺陷。前面讨论晶体的密堆积方式时得到： （1）fcc晶体在平行于{111}面的原子排列顺序是ABCABCABC……。 （2）hcp晶体在平行于{0001}面的原子排列顺序是ABABAB……。 若使堆垛顺序发生局部变化，形成如下几种新结构： （1）外层错：插入一密排层，形成 ABCAB(A)CABC……。 （2）内层错：抽去一密排层，形成 ABCABCBCABC……。 （3）孪生：对称密排层，形成 ABCABCABCACBACBA……。 堆垛层错并不改变原子最近邻的关系，只产生次近邻的错排，而且几乎不产生畸变，所以是一种低能量的面缺陷。 除密堆积结构外，其它类型的晶体也可能出现层错，如金刚石结构和闪锌矿结构的{111}面在外延生长过程中，将可能出现层错。 二、晶界 多晶是由许多小晶粒组成，晶粒与晶粒的交界区域称为晶界。 晶界的特点 (1) 晶界是个缺陷密集的过渡区， 晶界是扩散的快通道； （2）晶界是杂质的富集区； （3）晶界可形成离子的聚集或吸附， 形成对载流子运动的势垒或势阱； （4）晶界能量较高。 小角晶界 晶界结构和性质与相邻晶粒的取向差有关。 当取向差小于10?时，晶界称为小角晶界； 当取向大于10?时晶界称为大角晶界。 实际的多晶材料一般都是大角晶界，但晶粒内部的亚晶界则是小角晶界。 小角晶界 三、体缺陷 在体缺陷中比较重要的是包裹体。 包裹体是晶体生长过程中所捕获的夹杂物。气孔也可以认为是一种包裹体。 包裹体严重影响晶体性质，如造成光散射，或吸收强光引起发热从而影响晶体的强度。 由于包裹体的热膨胀系数一般与晶体不同，在单晶体生长的冷却过程中会产生体内应力，造成大量位错的形成。 * * 透明陶瓷研究 透明陶瓷研究 目前制备的透明陶瓷透过率70% *
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