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National Cheng Kung University Department of Mechanical Engineering 精密機械與控制 （homework2） Scanning Near-Field Optical Microscope Professor：張 仁 宗 教授 Student ： 陳 慶 昌 Chen Ching Chang Date ：200/04/04 一、前言 3 二、遠場光學與繞射極限 4 三、近場光學的發展 4 四、近場光學顯微鏡的物理基礎與數學背景 6 I. 系統知識 6 II. 近場光學的成像原理與數學基礎 11 III. 工程技術 15 五、未來展望 19 六、參考文獻 19 一、前言 在科學發展史上，顯微技術一直隨著人類科技文明而不斷地突破，科學研究及工業技術，也隨著新的顯微技術的發明而推升至更微小的世界。人類對更高解析度顯微術的需求相當迫切最終的目的是希望能夠看到單一的原子，進而能從最基本的原子層級來瞭解材料的各種物理及化學特性，並藉掌控原子來製造新材料及新元件。就表面顯微技術(1) 而言，為因應這樣的趨勢，近年來也有突破性的發展。當一個物件很小時，其表面積與體積的比例增加了，表面的物性已不容忽略；如果到達目前工業界常用的薄膜尺寸，區分表面與內體bulk)已無太大的意義。為了使產品精巧，許多不同功能的小元件，必須有效地連結起來，發揮特殊的效果。因此，在這些小元件間便產生許多功能性的界面；若有一個界面出了差錯，整個產品即不能使用。引發近年來奈米技術蓬勃發展之主因，在於對單一奈米尺度結構的檢測與操控能力之提昇，使得奈米材料的合成與製作得以精確地掌握，同時伴隨著奈米材料迴異於以往的介觀性質，現今檢測技術勢必需加以擴展與提昇，以提供將來蓬勃的奈米材料研發與後續探索的堅實後盾。由於奈米材料所擁有之新性質往往是藉由 (1) 粒徑大小(granule size) 與分佈、表面型態(morphology)、形狀…等奈米結構與尺寸特性，(2)奈米微結構、組成、不純物…等，和(3)奈米材料化學鍵結特性…等三類因素產生，故唯有對奈米尺度的現象和特性，經由檢測而確實地描繪，並據以作為材料製作、合成與改善的依據，達成對奈米材料特性的操控與掌握。為了在奈米尺度下能準確的探討材料微成份、微尺寸、微結構與性質之間的對應關係，所必須建立奈米尺度的檢測與表徵工具。MF-SPM(Multi-functional Scanning probe microscopy)的檢測技術發展雖僅20多年，確已成為發展奈米技術不可或缺的重要工具。主要是它除了具有原子級表面形貌三度空間解析度外，亦可用來檢測物質表面微結構的定量特性分析與表面性質的原子解析能力。這包括在奈米尺度下研究各種奈米結構的電、力、磁、光學特性，研究奈米尺度下的化學反應與物理傳輸過程，以及研究原子、分子的排列、組裝與不同物性的關係。這種能同時達到造、控、量、用的技術為發展奈米技術重要工具，故美、歐、日等先進國家莫不致力於此奈米檢測技術的研究並且投入大量的人力與物力。掃描光學顯微鏡[Scanning Near-field Optical Microscope], 簡稱SNOME. H. Synge）及美國的歐基夫（O’Keefe）分別在一九二八年及一九五六年提出在近場光學中（即遠小於一個量測波長的距離）進行光學量測，可避免因大於一個波長的距離之後，光波動性質的呈現與干擾，便可獲得超越繞射極限的空間解析度，但是以當時的工程技藝，並無法證實這概念。直到一九七二年亞許（E. A. Ash）與尼可斯（G. Nichols）證實的確可在近場範圍中達到1／60波長的空間解析度。一九八六年，賓尼（G. Binnig）及羅勒（H. Rohrer）因為在一九八二年製作出第一台電子掃描穿隧顯微儀（scanning tunnellingmicroscope，STM）的重大貢獻，而獲得當年度諾貝爾物理獎。開啟了近場光學理論與工程上的應用的新頁，近場光學的工程應用相當的廣泛，最為熱門討論的是在電子工程上的發展，改善了資料儲存密度的大幅提升。在下段內容中我便先對遠場與近場光學的歷史做一簡單介紹，再介紹其近場光學技術的進展與近場光學的應用。 二、遠場光學與繞射極限 一八七三年，德國物理學家阿貝（Ernst Abbe）認為觀察者與被觀察者在遠場光學的範圍中（即遠大於一個量測波長的距離時），無法避免由於光的波動性質所造成的干涉與繞射效應。所以在傳統光學顯微鏡中，僅能獲得約二分之一個量測波長的空間解析度，這稱為光學繞射極限。之後，英國的瑞賴（Lord Rayleigh）針對這一點寫下了所謂的Rayleigh 準則：兩物體的距離必須大於或等於（1.22λ／2n sin