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第2章 半导体三极管及其基本放大电路 教学基本要求 掌握: 双极型三极管的外特性；共射、共集放大电路的工作原理，静态工作点的估算及用简化小信号模型电路分析电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 熟悉: 双极型三极管的工作原理，主要参数及使用方法；共射、共集放大电路的主要特点和主要用途；共集放大电路的的静态工作点及电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 了解: 温度对静态工作点的影响，图解分析法，共基放大电路的主要特点和主要用途；光电三极管、光电耦合器的工作原理及使用方法。 单 元 课 时 计 划 （100分钟） 编号 课程 名称 模拟电子技术 授课 班级 讲次 4 授课 日期 计划在 年 月 日星期 第 讲 实际在 年 月 日星期 第 讲 章目 第2章半导体三极管及其基本放大电路 节目 2.1双极型三极管 要求 掌握晶体三极管特性，理解其电流放大机理。 教具 POWERPOINT课件 方式 多媒体 教 学 重 点 三极管的电流分配关系 特性曲线 教 学 难 点 载流子的运动机理 教 学 主 要 内 容 2.1双极型三极管 1.BJT的结构 2. BJT的放大原理 3. BJT的特性曲线 4.BJT的使用常识 备 注 唐山工业职业技术学院 教 案 副 页 2.1 双极型三极管 2.1.1 BJT的结构 双极型三极管是半导体三极管的一种类型，它有空穴和电子两种载流子参与导电，故称双极型，又称半导体三极管，有两种类型:NPN型和PNP型。 BJT制作工艺的的特点： ?1集电极结面积大?发射区的掺杂浓度高 2基区很薄且掺杂浓度底 ?3集电极结面积大 2.1.2 BJT的放大原理 一、BJT处于放大状态的工作条件 ?外部条件：发射极正偏，集电极反偏 ?第 1 页 教 案 副 页 二、BJT内部载流子运动规律 发射区向基区发射电子 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 三、BJT的电流分配关系 电流IE、IC、IB之间的关系 2.集电极电流IC与基极电流IB的关系 3.发射极电流IE与基极IB的关系 四、BJT的放大作用 在下图所示的共发射极电路中,若在基极的输入端接入一个小的输入信号电压△UI, 使基极电流产生一个随规律变化的△IB,通过基极电流对集电极电流的控制作用,集电极电流也将产生相应的变化量△IC。 △IC＞＞ △IB ，这种以较小的输入电流变化控制较大输出电流变化的作用，就是BJT的电流放大作用。 例：在共发射极放大电路的输入端接入信号电压ΔUI=30mV，相应有输入电流ΔIB=30μA，若BJT的交流电流放大系数Β=40，集电极电阻RC=1KΩ，试求输出电流ΔIC和电压放大倍数Au。 解：输出电流Δ IC 输出电压ΔU0 电压放大倍数Au 第 2 页 教 案 副 页 2．1．3 BJT的特性曲线 1.共发射极输入特性曲线: IB=f(UBE )│UCE = 常数， 如果是硅管，当UCE超过1V时，集电结已经达到足够反偏，可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。此时再增大UCE ，只要UBE保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定）， IB也就基本不变。所以，当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的。 2.共发射极输出特性曲线: IC=f(UCE)│ IB = 常数 饱和区： ?输出特性曲线的陡直部分是饱和区。 ?IB的变化对 IC的影响较小。 ? UCE＜UBE，发射结和集电结均处于正向偏置。 放大区： ?输出特性曲线的近于水平部分是放大区。 ? IC ＝ IB ×β放大区也称为线性区。 ?发射结必须正向偏置，集电结则应反向偏置。 截止区： ? IB ＝ 0的曲线以下的区域称为截止区。 ?对NPN硅管使三极管可靠截止，常使UBE≤0V。发射结和集电结均处于反向偏置。 3．PNP的BJT的共发射极特性曲线 2.1.4 BJT的使用常识 1.国产BJT的型号命名方法按国家标准（GB249-74）规定 第 3 页 教 案 副 页 2.BJT的主要参数 1.性能参数 共发射极直流电流放大系数 共发射极交流电流放大系数 2.极间反向电流 集电极-基极反向电流ICBO 集电极-发射极反向电流ICEO 3.极限参数 ?集电极最大允许电流 ICM ?集-射反向击穿电压 U(BR)CEO ?集电极最大允许规功率损耗PCM 集-基反向击穿电压 U(BR)CBO 射-基反向击穿电压 U(BR)EBO 第 4页 单 元 课 时 计 划 （100分钟） 编号 课程 名称 模拟电子技术 授课 班级 讲