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SEMICOND UCTOR OPTOEL ECTRONICS Vol . 29 No. 3 June 2008
光电器件
大功率 L ED 封装的温度场和热应力分布的分析
戴炜锋 , 王 , 李越生
( 复旦大学 材料科学系 ,上海 200433)
( )
摘 要 : 针对典型的大功率发光二极管 L ED 塑封器件 ,建立了 3D 模型 ,对器件内部从初
始到正常工作状态过程中的温度分布和热应力分布进行了有限元分析模拟 ,并测试了实际器件表
面特征点的温度变化 。瞬态热分析的结果与实际的器件表面温度实测数据吻合较好 。考虑到不同
散热条件的影响 ,给出了该大功率 L ED 塑封器件中热应力集中区域和该类器件适当的工作范围。
( )
关键词 : 有限元法 F EM ; 大功率 L ED ; 热应力 ; 温度
中图分类号 : TN 3 12 . 8 文献标识码 : A 文章编号 : 100 1 - 5868 (2008) 03 - 0324 - 05
Transient Thermal Analysis of Highpower L ED Package
DA I Weif eng , WAN G J un , L I Yuesheng
( Department of Material Science , Fudan University , Shanghai 200433 , CHN)
Abstract : 3D mo del of a t ypical highpower lightemit ting dio de ( L ED ) p ackage wa s
e st abli shed and finit e element analy si s wa s car ried out to simulat e t he di st ribution s of t emp erat ure
and t her mal st re ss in t he L ED device f ro m initial power on to nor mal wor king st at u s. The
analy si s wa s co mp ared wit h t he wellde signed exp eriment and t he simulation t emp erat ure wa s
co mp liant to exp eriment s at mo st t ypical p oint s. The st u dy demon st rat ed t he sp ecific value s of
t emp erat ure , st rain and st re ss in t he device wit h time increa sing . The mea sure s to reduce t he
failure highpower L ED were di scu ssed .
Key words : finit e element met ho d ( F EM) ; highp ower L ED ; t her mal st re ss ; t emp erat ure
1 引言 致出光效率降低或颜色发生变化[3～8 ] 。L ED 封装
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